* Данный текст распознан в автоматическом режиме, поэтому может содержать ошибки

104 ГЛАВА VI для тория X в сульфате калия при кристаллизации из 0,05 М раствора серной кислоты от ~ 25 до ~ 2 . 3) Из радиограмм активных кристаллов видно, что индикаторы внедряются регулярно, но прерывно, что видно на представленных на рис. 27 радиограмм кристаллов сульфата аммония, содержащих внедренные торий В, торий X и по­ лоний. Хан [НЗ], который рассматривал соосаждение путем образования аномаль­ ных смешанных кристаллов и внутренней адсорбции более подробно, чем здесь, указал, что не всегда возможно провести различие между этими процессами переноса. Он упоминает также о соосаждении путем внедрения радиоколлоидов и активного маточного раствора. 2. ОСАЖДЕНИЕ НА ЗАРАНЕЕ ПРИГОТОВЛЕННЫХ НЕМЕТАЛЛИЧЕСКИХ ТВЕРДЫХ ФАЗАХ В этот раздел включено рассмотрение адсорбции и абсорбции свободных от носителя индикаторов из водных растворов на заранее приготовленных неме­ таллических твердых веществах. Электрохимическое осаждение индикаторов на металлах будет рассматриваться дальше, в разделе 6. Для удобства материал разделен на 3 части соответственно природе твердых веществ. Рассматриваются следующие виды твердых веществ: а) осадки электроли­ тов, б) .активированный уголь и в) ионообменные смолы. а ) О с а ж д е н и е на осадках электролитов Хотя процесс переноса обычно наиболее эффективен, когда осадок обра­ зуется в присутствии индикатора (соосаждение), значительную долю индикатора часто можно удалить из раствора путем прибавления заранее приготовленного осадка. Чем больше поверхность осадка, тем лучше переносится индикатор, так как независимо от механизма переноса индикатор должен соприкасаться с поверх­ ностью осадка. Как и при соосаждении, относительное значение других факторов (заряды осадка и индикатора, растворимость соединения индикатора с противо­ положно заряженным ионом решетки и время контакта), влияющих на эффектив­ ность переноса, зависит в значительной степени от того, может ли ион индика­ тора внедряться в кристаллическую решетку осадка. Поэтому рассматриваются два типа процессов переноса. 1) Адсорбция при обмене компенсирующих ионов. Индикатор быстро адсорбируется при обмене с компенсирующими ионами, которые находятся во внешней части двойного электрического слоя, окружающего кристалл. 2) Изоморфное замещение. Индикатор быстро адсорбируется путем обмена с ионами решетки на поверхности кристалла и затем медленно внедряется в кри­ сталлическую решетку во время последующей рекристаллизации осадка. Для осуществления первого процесса не требуется внедрения индикатора в решетку, но для второго процесса требуется изоморфизм смешанных кристал­ лов. Здесь, как и при соосаждении, не всегда возможно провести различие между процессами адсорбции и замещения в решетке. Так как в дальнейшем изложении используются представления коллоидной химии о двойном электрическом слое, то ниже кратко излагается эта теория. Двойной электрический слой [V2, КЗБ, R3, R70, КЮ2]. Лоттермозер IL441 впервые показал, что частицы галогенидов серебра приобретают положительный заряд при суспендировании в растворе, содержащем избыток ионов серебра, и отри­ цательный заряд в растворе, содержащем избыток ионов галогенида. Заряд этих коллоидных частиц определяется по их движению в электрическом поле и может быть объяснен с помощью теории двойного электрического слоя. Рассмотрим,