* Данный текст распознан в автоматическом режиме, поэтому может содержать ошибки

Схемы включения микросхем 181 К142ЕН12(А, Б), КР142ЕН12(А, Б) Микросхемы представляют собой м о щ н ы е высоковольтные стабилизаторы напряжения «взвешенного» типа с регулируемым выходным напряжением поло¬ жительной полярности от 1,2 до 37 В и токами нагрузки 1 и 1,5 А. Устойчивы к им¬ пульсным перегрузкам мощности, имеют защиту от перегрузок по току. К142ЕН12 КР142ЕН12 VD1 О + Типовая схема включения КР142ЕН12 Рекомендации по п р и м е н е н и ю Крепление ИС осуществляется непосредственно к печатной плате или через переходные элементы методом распайки выводов корпуса на печатную плату. При этом радиатор закрепляется винтами: металлической теплоотводящей шине на печатной плате — в случае исполь¬ зования дополнительного теплоотвода; к печатной плате — при отсутствии дополнительного теплоотвода. ИС электрически соединен с выводом 3 «U ». При монтаже ИС необходимо обеспечивать изоляцию корпуса от заземленных элементов и токопроводящих элементов аппаратуры, и м е ю щ и х потенциал, отличный от U. Р е к о м е н д у е т с я проводить монтаж ИС 2 раза, д е м о н т а ж 1 раз. При всех усло¬ виях э к с п л у а т а ц и и емкость выходных к о н д е н с а т о р о в д о л ж н а быть не м е н е е 1 мкФ. При наличии с г л а ж и в а ю щ е г о ф и л ь т р а входного н а п р я ж е н и я (при отсут­ ствии к о м м у т и р у ю щ и х устройств между в ы х о д н ы м конденсатором ф и л ь т р а ис¬ точника питания и ИС, п р и в о д я щ и х к н а р а с т а н и ю входного н а п р я ж е н и я , и сое¬ д и н и т е л ь н ы х проводников не с в ы ш е 70 мм) входной е м к о с т ь ю может служить выходная емкость ф и л ь т р а , если ее з н а ч е н и е не менее 1 мкФ д л я керамиче¬ ских конденсаторов и не м е н е е 10 мкФ д л я а л ю м и н и е в ы х конденсаторов. В ос¬ т а л ь н ы х случаях входная емкость д о л ж н а быть не м е н е е 0,1 мкФ. Расстояние от входного конденсатора д о И С не более 70 м м . Д л я м а к с и м а л ь н о й реализа¬ ции выходных п а р а м е т р о в ИС н е о б х о д и м о о с у щ е с т в л я т ь контактирование резисторного д е л и т е л я о б р а т н о й связи и выходного конденсатора как м о ж н о бли¬ ж е к выходу ИС, а саму И С р е к о м е н д у е т с я устанавливать в н е п о с р е д с т в е н н о й близости к нагрузке. При использовании дополнительного радиатора рассеиваемая мощность не д о л ж н а превышать 10 Вт. При этом температура кристалла д о л ж н а быть не бо¬ лее 130 °С. Д л я снижения уровня шума и увеличения коэффициента сглаживания пульса¬ ции при U > U рекомендуется подключать конденсатор С2 < 10 мкФ. ebix ebx ebixil71in