* Данный текст распознан в автоматическом режиме, поэтому может содержать ошибки
180
Схемы включения
17
микросхем
2
К142ЕН9 КР142ЕН9
+ O'вх и,
К142ЕН9(А-Е) КР142ЕН9(А-Е)
О +
'вых
_L ci
8 о о мкФ
Т и п о в а я с х е м а в к л ю ч е н и я К 1 4 2 Е Н 9 ( А — Е ) и К Р 1 4 2 Е Н 9 ( А — Е ) ; С1 > 0,33
Р е к о м е н д а ц и и по п р и м е н е н и ю
Крепление ИС осуществляется непосредственно к печатной плате или к теплоотводящему радиатору путем прижима металлической части корпуса или че рез переходные элементы методом распайки выводов корпуса на печатную пла ту. При этом радиатор К142ЕН9(А—Е) закрепляется винтами: к металлической теплоотводящей шине, закрепленной на печатной плате, — в случае использования дополнительного теплоотвода; непосредственно к печатной плате — при отсутствии дополнительного теплоотвода. При монтаже К Р 1 4 2 Е Н 9 ( А — Е ) на теплоотводящий радиатор необходимо со блюдать с л е д у ю щ и е требования. 1. Д л я улучшения теплового баланса установку ИС на радиатор необходимо осуществлять с п о м о щ ь ю теплоотводящих паст. 2. Не рекомендуется припайка основания ИС к теплоотводу. 3. При изоляции корпуса ИС от радиатора необходимо учитывать, тепловое сопротивление изолирующей прокладки или пасты. Пайка выводов рекомендуется не б л и ж е 5 мм от корпуса ИС, температура припоя д о л ж н а быть не более 265 °С. Скорость погружения (и извлечения) выво д о в 25 ±2 мм/с, время выдержки не более 4 с. При монтаже ИС допускается одноразовый изгиб выводов не ближе 2,5 мм от корпуса под углом 90 ° с радиусом закругления не менее 2,5 мм. При этом долж¬ ны приниматься меры, и с к л ю ч а ю щ и е передачу усилий на корпус. Изгиб в плоско¬ сти выводов не допускается. B качестве вывода «общий» наряду с выводом 8 рекомендуется использовать корпус К142ЕН9(А—Е) и металлическую часть корпуса К Р 1 4 2 Е Н 9 ( А — Е ) с соот¬ ветствующим выводом. Допускается подача напряжения на выход ИС до 27 B при отсутствии напря¬ ж е н и я на входе. Разрешается производить монтаж 2 раза, д е м о н т а ж 1 раз. При всех условиях эксплуатации емкость входного конденсатора д о л ж н а быть не менее 0,33 мкФ, а расстояние от конденсатора д о ИС — не более 50 мм. При этом гарантируется отсутствие генерации на входе с амплитудой, п р е в ы ш а ю щ е й U . B ИС предусмотрена встроенная защита от короткого замыкания, пере¬ грузки по току и от перегрева кристалла (выключение ИС происходит при Т = +165 ±10 °С). Температура металлической части корпуса КР142ЕН9(А — Е), измеренная на расстоянии 1... 2 мм от пластмассовой: частичке д о л ж н а превы¬ шать (+100 ±3)°С. Пожароопасный аварийный режим при Т = +25 °С и Р = 6 Вт: 1 = 1,5 А для К142ЕН9(А—В) и 1вых = 1 А для К 1 4 2 Е Н 9 ( Г — Е ) . Облегченный режим К Р 1 4 2 Е Н 9 ( А — Е ) выбирается исходя из Рр с = 3 В т п р и Т = + 7 0 ° С . Низшая резонансная частота К142ЕН9(А—Е) 15 кГц.
exmax к рас вых
Э