* Данный текст распознан в автоматическом режиме, поэтому может содержать ошибки

Смесители и выходе схемы различны, эквивалентная схема диодного смесителя представляет собой сим­ метричный П-образный четырехполюсник, в ко­ тором максимальная передача мощности дости­ гается при выполнении условий комплексно со­ пряженного согласования. Согласно этим усло­ виям сопротивление нагрузки на промежуточной частоте Я и сопротивление источника сигнала R ДОЛЖНЫ быть равны характеристическому сопротивлению четырехполюсника Z Велип р H m 269 P Рис. 7-57. Эквивалентная с х е м а д и о д н о г о сме­ сителя. чины R и R , обеспечивающие максимальную передачу мощности через смеситель, равны: rip } и (7-182) показанный на рис. 7-58, О Отметим, что K всегда меньше единицы. Величины g и S определяются соот­ ветственно из (7-172) и (/-179) Отношение этих двух величин может приближаться к единице только когда g(t) имеет вид узких импульсов, так что cos (ω ί) близко к единице в течение дли­ тельности g(t). Эти условия выполняются при подаче очень больших напряжений гетеродина и при использовании больших отрицательных смещений; при этом диод отпирается только при значениях н а п р я ж е н и я гетеродина, близких к амплитудным. С в я з ь гетеродина со смесителем следует выполнять так, чтобы он представлял собой для радиосигнала либо малое последова­ тельное сопротивление, либо большое парал­ лельное сопротивление. 2. Г р а ф и ч е с к о е о п р е д е л е н и е So ^np- Среднюю проводимость диода g и крутизну преобразования S можно опреде­ лить графически по характеристике зависимости g от н а п р я ж е н и я и, которая строится по вольтамперной характеристике диода. Величины g и S определяются по приближенным выра­ жениям. 0 n o Γ и 0 n p up 1 0 Vsi np 0 s* пр m На рис. 7-58, а приведено отношение ха­ рактеристического сопротивления Z смесителя к среднему сопротивлению диода R в зависимости от S / g . При приближении 0 So = γ2 te' + ff» + 1 _ J_ ~~ 1 2 ^ и 1 2 (Si + ffs + Si + g* + , , ^ ^ g·)]; (7-185) ς _ 7 g l ч , ) ( } 1 7 ^ g «, _ >' ° * (7-186) а{ g g H t Х а р а к т е р и с т и ч е с к о е с о п р о т и в л е н и е и коэффициент передачи мощности диодного смесителя. а — отношение характеристического сопротивления смесителя Z к с р е д н е м у сопро­ т и в л е н и ю д и о д а l / g в ф у н к ц и и о т $ 18о> б — з а в и с и м о с т ь передачи м о щ н о с т и диодного смесителя от величины отношения крутизны преобразования к средней п р о в о д и м о с т и д и о д а п р и у с л о в и и с о г л а с о в а н и я на в х о д е и в ы х о д е . m 0 пр Рис 7-58. 5 р Но единице отношение Z IR стремится к бесконеч ности. Вел ич и на входной π роводи мости смесителя g при любом сопротивлении нагрузки по промежуточной частоте равна: к П M B BX ffB X ne ff? S n p + ffoff,np_ ffo + ffnp (7-183) gnp i Если величины сопротивлений источника сигнала и нагрузки на промежуточной частоте выбраны согласно (7-182), то коэффициент пе­ редачи мощн ости с мес и тел я равенjSnp'ffi 12 — крутизна преобразования для про­ межуточной частоты C D p — ω ; Su gzf ···, Si — значения проводимости диода в точках периода гетеродина, показанных на рис. 7-59. У идеального диода, имеющего ломано-ли­ нейную вольт-амперную характеристику, при­ веденную на рис. 7-56, в е л и ч и н а g при нулевом смещении равна g/2. Используя в этом случае (7-185), величину gi следует принять равной среднему значению проводимости диода в заnp 4 где S Γ 0 g пертом и отпертом состояниях, т. е. g — у . 4 (7-184) Крутизна преобразования согласно (7-186) равЕ. W. H e r o l d , The operation of frequency converters and mixers for supernetelodyne receivers, P r o c I R E . February 1942. » 1 Зависимость коэффициента передачи мощ­ ности от S Z g при этих условиях имеет вид, np 0