* Данный текст распознан в автоматическом режиме, поэтому может содержать ошибки

76 Электронные лампы и транзисторы \гл 2 стор. Обычно в мощных усилителях считается удовлетворительным такое значение £ / , при к р и т По х а р а к т е р и с т и к е р и с . 2-81 находим условия работы в статическом режиме: I K соответствует точке перегиба Р Л Л Л ^ гл * кривых, изображенных на рис. 2-82, б. Работа в этой точке обеспечивает одновременно макси­ мальную допустимую мощность рассеивания и максимальный коэффициент стабильности д л я любой рабочей температуры. Поэтому К И Т котором = 100 ма; / 5 = 7 ма; U = 20 в. K Т а к к а к найденные токи много б о л ь ш е , чем / о то можно считать, что к ? I 9 = I 6 + I K = 107 ма. ^ р - = < Ш = < Щ к р и т = 2 0 0 0 в - Д л я полученного £ / и мощности рассеивания 5 вт при 25° С коэффициент стабильности дол­ жен быть 5,3 или меньше (рис. 2-82, а). Отсюда выбираем S = 5. 5. Определяем необходимую величину со­ противления в цепи эмиттера R . И з уравнения (2-99) 1 П о л ь з у я с ь схемой, изображенной на рис. 2-79,а, и учитывая, что U является н а п р я ж е н и е м кол­ лектора по отношению к базе, можно написать следующие два уравнения для статического режима (направление токов показано на рис. 2-79,а). K E и E 1 3 = U + K IR 6 t + 1 S = «) или 1—5(1—а) 5—1 = IsRt + /бЯз, 8 откуда E = 20 + 1 000 (—7 IO" ) = 13 в; E = 125 (—107 10 ) + 1 000 (—7 =* — 20,4 в. i 8 1 10 В области рабочей точки изменение тока эмит­ тера на 100 ма вызывает изменение тока кол­ лектора на 90 ма (рис. 2-83). Поэтому α = 0,9 и R 7. Определяем мощность, потребляемую о т источников питания, Po = E*I + E I = = 13 - 0,10 + 20,4 - 0,107 = 3,48 вт. K i d I 1-5(0,1) = 0,125. 4 3 8. Определяем выходную мощность и к.п.д. ρ (Ug ^к.мин) Uк.макс At) Чтобы уменьшить нагрузку источника, R дол­ ж н о быть приблизительно равно 1 0 # . Пусть #s = 1 000 ом, тогда R = 125 ом. с и г 1 = to го зо 40 SO Напряжение коллектора, 6 60 Рис. 2 83 К о л л е к т о р н ы е х а р а к т е р и с т и к и м о щ н о г о тран­ з и с т о р а 2 N83 д л я схемы с о б щ е й б а з о й . 6. Определ яе м нап ря жени я источ ни ков питания E и E . Т а к как характеристики эмиттер—база для транзистора 2N83 не даны, принимаем, что напряжение между эмиттером и базой, необ­ ходимое для получения условий, соответствую­ щих рабочей точке в статическом режиме, равно нулю. При этом ошибка будет не больше 0,1—0,2 β д л я германиевого транзистора и около 0,6 в для кремниевого транзистора. 1 i 0,5)(0,135 - 0,100) 0,341 , " e r = = ^ h n r = 9,8о/ . 3,48 Po Полная схема усилителя дана на р и с . 2-84,6. Эта схема требует двух источников питания с разными н а п р я ж е н и я м и . И з м е н я я значения R и R при сохранении постоянства их отношения и, следовательно, постоянства коэффициента стабильности S, можно подо­ брать более подходящие значения E и E . Если RQ нельзя уменьшить по величине, то любое изменение и R% приведет к уменьшению к.п.д. из-за увеличения мощности потерь на R т а к к а к его величина увеличилась. Схема на рис. 2-84,6, где E уменьшено До н у л я , иллюстри­ рует возможный предел изменения н а п р я ж е н и я источника питания при постоянном значении S. Напряжение E можно дальше увеличивать до любого значения при одновременном увели­ чении R чтобы сохранить напряжение эмит­ тер—база примерно равным нулю. Сопротив­ ление R , равное 2 857 ом, нельзя изменить без изменения н а п р я ж е н и я источника питания в цепи коллектора. Поэтому увеличение E и R снизит S, увеличив стабильность схемы по постоянному току за счет возрастания мощ­ ности рассеивания на R . Пример 2-5 Рассчитать мощный усилитель в р е ж и м е класса А по схеме с общей базой на транзисторе = 0 3 4 1 ш ; η θ Λ 0 1 2 1 i u 3 1 u S 1 1 1 (20 -