* Данный текст распознан в автоматическом режиме, поэтому может содержать ошибки

§ 2-9] Транзисторы 1 *ЮОма н 77 2N83 (п-р-п). Источник сигнала имеет сопротив­ ление 100 ом и с в я з а н с эмиттером через конден­ сатор. Н а выходе в к л ю ­ чен трансформатор. Со­ противление первичной обмотки трансформатора мало и им можно пре­ небречь. Определить R R , E Es, максимальную мощность на выходе и мощность рассеивания. Считать, что максималь­ ная рабочая температура равна 70°С. Х а р а к т е р и ­ стики транзистора 2N83, включенного с общей базой, даны на рис. 2-83. Решение 1. Определяем максимальную рассеивания на коллекторе. На основании п. I предыдущего максимально допустимая мощность ния на колекторе равна: lt B lt 1 =100ма н E* Ш 2 Схемы у с и л е н и я д л я п р и м е р а 2-½. по схеме Из характеристик на рис. 2-83 находим I = 0,067 а. Т а к и м образом, E E i 9 = мощность примера рассеива­ i = — 0,067 · 1 000 = — 67 в; = + 30 в. потребляемую 7. Определяем мощность, от источников питания: Po = EiI -h K = 2,0 вт при и* EI i 9 = 1.88 + 4.49 = 6,37 вт. 0,01. Крит 2. На характеристике транзистора 2N83 строим кривую, соответствующую мощности рассеивания 2 вт, к а к п о к а з а н о на рис. 2-83. 3. Строим линию н а г р у з к и и определяем положение рабочей точки т а к , чтобы обеспе­ чить хорошую линейность д л я больших ампли­ туд тока эмиттера. Для линии н а г р у з к и , показанной на рис. 2-83, рабочая точка (точка касания с кривой, соответствующей мощности рассеивания 2 вт) определяется значениями I = 62,5 ма, U = = 30 в. Тогда 30 =0/)625 = ™· K K 4 8 0 Рис. 2-85. Схема с о б щ е й б а з о й д л я примера 2-5. 8. Определяем выходную мощность и к.п.Д. К.МАКС 4. Определяем необходимый коэффициент стабильности S. Значение U (см. п. 4 примера 2-4) равно: 30 U а крит = щ = - щ = 3000 *. KPHT _ (30-0)(0,125-0,0625) ~ 2 P H 0,94 вт; 0,94 1 4 > 8 β / ^ = T t = W = ° · Для полученного £ / и мощности рассеивания 5 вт при 25° С коэффициент стабильности дол­ жен быть 3,5 или меньше. Д л я схемы с общей базой при внешнем сопротивлении в цепи базы, равном нулю (R = 0), S = I [см. уравнение (2-99)]. Таким образом, стабильность обеспечи­ вается 5. Определяем величину сопротивления R . Схема показана на рис. 2-85. Чтобы умень­ шить нагрузку источника, R должно быть приблизительно Ю / ? или больше. Примем K = 1 000 ом. 6. Определяем н а п р я ж е н и я источников питания E и E . На основании схемы, изображенной на рис. 2-85, и учитывая, что н а п р я ж е н и е между эмиттером и базой очень близко к нулю, можно написать уравнения д л я определения напря­ жений E и E (направление токов показано н а рис. 2-85): E = IsR ; Е = U. к р и т i i 1 с и г 1 1 3 i i 1 1 % lt Сравнение результатов, полученных при ре­ шении примеров 2-4 и 2-5, иллюстрирует пре­ имущества к а ж д о г о типа схемы: Параметр Общая база Общий эмиттер η Линейность 6,37 вт 0,94 вт 14,8% Отличная 3,48 вт 0,34 вт 9,8о/ Хорошая 0 Следует отметить, что применение RCсвязи и значение сопротивления связи 1 000 ом приводят к значительному уменьшению к.п.д. схемы. Трансформаторный вход с этой точки зрения гораздо экономичнее. 2-9и. h-параметры транзистора. Чтобы дать полную характеристику транзистора, включенного по схеме с общей базой, общим эмиттером или общим коллектором, необхо-