* Данный текст распознан в автоматическом режиме, поэтому может содержать ошибки

74 1. ром. Общий эмиттер с Электронные общим лампы и транзисторы [гл. 2 эмитте- 2. Общая база с общим эмиттером. 3. Общий эмиттер с общим коллектором. 4. ром. 5. Общий коллектор с общей базой. Хорошую температурную стабилизацию можно получить с помощью нелинейных эле­ ментов. В схеме, изображенной на рис. 2-80, б, цепь связи между каскадами состоит из диода и соединенного с ним последовательно активного сопротивления. Если применить плоскостной диод р - я , то его температурный р е ж и м можно точно приблизить к температурному р е ж и м у плоскостного транзистора и получить, т а к и м образом, лучшую компенсацию. Д л я получе­ ния оптимальной стабилизации значение со­ противления R подбирается эксперимен­ тально. Другой пример использования нелинейного элемента д л я стабилизации показан на р и с . 2-80, е. Если диода нет, то с увеличением тем­ пературы создается отрицательное п р и р а щ е ­ ние н а п р я ж е н и я на базе по отношению к общему электроду и положительное п р и р а щ е н и е н а п р я ­ жения на коллекторе по отношению к общему электроду. При включении плоскостного диода увеличение температуры вызывает увеличение обратного тока диода и, следовательно, появление положительного п р и р а щ е н и я сигнала на базе. Положительное приращение н а п р я ж е н и я на базе уменьшает ток коллектора, что компенси­ рует увеличение тока коллектора при нулевом токе эмиттера. 2-9е. Шумы в транзисторах. Беспорядоч­ ное движение электронов и дырок в транзи­ сторе является причиной слабых флуктуаций токов в его ц е п я х . Эти флуктуации называются токами шума. Величина тока шума зависит от среднего значения тока в транзисторе, от ча­ стоты, а т а к ж е от ширины полосы пропуска­ ний измерительного устройства. Когда в ц е п я х транзистора не протекают токи, ш у м на выходе транзистора равен тепловому шуму, который создало бы сопротивление равной величины. Когда в цепях транзистора протекают постоян­ ные токи, ш у м транзистора на низких частотах может увеличиться примерно в IO р а з по сравнению с тепловым шумом эквивалентного сопротивления. Мощность шума на единицу ширины полосы п р о п у с к а н и я изменяется при­ мерно обратно пропорционально рабочей ча­ стоте вплоть до частоты п о р я д к а 100 кгц, на которой мощность шума имеет в несколько раз большее значение, чем тепловой ш у м сопротив­ л е н и я . Мощность шума остается относительно постоянной на более высоких частотах и всегда в несколько раз превышает тепловой ш у м . Шумовые свойства транзисторов оценива­ ются с помощью коэффициента шума (см. § 7-23). Коэффициент шума транзистора обычно измеряется д л я ширины полосы п р о п у с к а н и я 1 гц на частоте 1 000 гц. Эту величину можно экстраполировать на другие частоты согласно выражению 2 4 F Общая база с общим коллекто- F —коэффициент шума транзистора, дб, д л я ширины полосы пропуска­ ния 1 гц на частоте f; E i ООО — коэффициент шума транзистора, дб, для ширины полосы пропуска­ ния 1 гц на частоте 1 000 гц; f — частота, на которой вычисляется коэффициент шума, гц. Коэффициент шума плоскостных транзи­ сторов значительно ниже, чем точечно-контакт­ ных. Коэффициенты шума некоторых пло­ скостных и точечно-контактных транзисторов приведены в т а б л . 2-6 и 2-7. Пример 2-4. Рассчитать мощный усилитель в режи ме класса А по схеме с общим эмиттером на тран­ зисторе 2N83 (п-р-п). Использовать тип схемы, изображенной на р и с . 2-79, а. Источник сиг­ нала имеет сопротивление 100 ом и связан с ба­ зой через конденсатор. Н а выходе включен трансформатор вместо сопротивления, п о к а з а н ­ ного на р и с у н к е . Сопротивление первичной обмоткн трансформатора мало и им можно пре­ небречь. Определить R , R полное сопротивd6 1 it где - ПОма-л ЮОма 400 SOMO б.Ома щиость pa 'сееибанил 26т 40ма 3,0ма\ ' I ZOMQ \ Юма /00 ГШ щщ — ^ 9 по ЛUHiL·нагрузки мерному m оку пере о 1/ι Напряжение коллектора* 6 Рис. 2-81. Х а р а к т е р и с т и к и м о щ н о г о т р а н з и с т о р а 2N83 при т е м п е р а т у р е 25° С д л я с х е м ы с о б щ и м эмиттером. Предельно допустимые значения Н а п р я ж е н и е к о л л е к т о р а ( п р и 25° С): постоянное напряжение в схеме с общим эмиттером постоянное напряжение в схеме с общей базой мгновенное значение н а п р я ж е н и я . . . Ток к о л л е к т о р а . . Напряжение эмиттера . . . О б щ а я м о щ н о с т ь р а с с е и в а н и я п р н 25° С п р и использовании радиатора F-1; без о б д у в а . . . . . с обдувом прн типовом о т в о д е т е п л а . . . . . прн н е о г р а н и ч е н н о м отводе тепла т е м п е р а т у р а п е р е х о д а (Т ) макс / ( п р и — 10 в и 23° С) ко v у 30 в 45 « 60 а 1 000 ма 6 * 2.0 em 5,0 em 5,0 em 10,0 em IOO C 100 мка e d6 F i OO + O 1 000 10 l g / (2-118) ление н а г р у з к и переменному току, E , E , максимальную мощность на выходе и мощ­ ность рассеивания. Считать, что максимальная рабочая температура равна 70° С Х а р а к т е р и ­ стики транзистора 2N83 д л я схемы с общим эмиттером даны на р и с . 2-81. Кривые критиче­ ского н а п р я ж е н и я с / т » Р котором т р а н з и 3 1 П И к р И