* Данный текст распознан в автоматическом режиме, поэтому может содержать ошибки

§2-9) Транзисторы 73 Д*ко- В результате изменение постоянного на­ пряжения на переходе эмиттер—база оказы­ вается почти компенсированным, но за счет увеличения токов I и / . Включение сопротив­ ления R в цепь эмиттера приводит к тому, что возросший за счет Δ / ток I создает и а / ? на­ пряжение противоположной полярности, что также компенсирует первоначальное изменение напряжения, вызванное током Δ ί , протекаю­ щим через RQ. Т а к к а к M в | P больше, 9 к 9 κ ο 9 э κο a 3 9 д чем изменение тока в цепи базы, то наличие сопротивления в цепи эмиттера сильно умень­ шает изменение тока, которое требуется, чтобы постоянное напряжение на переходе эмиттер— база приняло свое первоначальное значение. Коэффициент стабильности S зависит только * й от отношения Rô и от α и для л ю б о ·> с х е м ы RB определяется уравнением (2-115): S = 1+(!_*) R s (2-115) где R$ — действующее сопротивление постоян­ ному току в цепи базы, т. е. парал­ лельно соединенные # и R ^ на рис. 2-79,6; действующее сопротивление постоян­ ному току в цепи эмиттера. а Следует отметить, что большое значение RQ уменьшает S' [см. уравнение (2-116)] и увели­ чивает S [см. уравнение (2-115)]. В о о б щ е говоря, т о л ь к о в с л у ч а я х при­ менения м а л о м о щ н ы х кремние­ вых т р а н з и с т о р о в н е о б х о д и м о в ы ч и с л я т ь S' и о п р е д е л я т ь и з ­ менение тока к о л л е к т о р а при и з м е н е н и и £/ . Q. Д л я других транзисто­ ров гораздо более сильное влияние о к а з ы в а е т изменение ί . М е т о д ы с т а б и л и з а ц и и . Как уже было отмечено, мощность рассеивания в цепи питания увеличивается по мере уменьше­ ния коэффициента стабильности. В мощной выходной ступени усилителя переменного тока очень часто мощность, которая д о л ж н а быть рас­ сеяна в цепи питания, оказывается настолько большой, что приходится применять другие методы стабилизации. Часто д л я температурной стабилизации целесообразно Использовать до­ полнительный транзистор (который т а к ж е дает дополнительное усиление) или какой-либо нелинейный элемент, например диод или термистор. В схеме, изображенной на рис. 2-80, а, д л я стабилизации транзистора T добавлен тран­ зистор T . При увеличении температуры от­ рицательное н а п р я ж е н и е на коллекторе T и на коллекторе T уменьшается, если рассматри­ вать каждый транзистор в отдельности. О д н а к о благодаря связи между T и T изменение на­ п р я ж е н и я на коллекторе T усиливается T и э κ 0 3 1 1 s i 2 i t а) Рис- 2-80. Схемы т е м п е р а т у р н о й стабилизации. Коэффициент стабильности S'. Коэффициент стабильности S равен отноше­ нию бесконечно малого изменения тока кол­ лектора к бесконечно малому изменению на­ пряжения между эмиттером и базой. Из урав­ нения (2-98) следует: 1 5 ' 9 = έ = ™ ( 2 - 1 1 6 ) где /¾ и R — те же, что и в уравнении (2-115). Изменение тока коллектора при изменении напряжения U . Q определяется из уравнения (2-117): Δί = S'KbT, (2-117) 9 κ где ΔΤ* — изменение температуры, "С; K= —0,0018 в/°С для кремния и — 0,0014 в/°С для г е р м а н и я . оказывается с отрицательным з н а к о м на кол­ лекторе T , Если T и T имеют одинаковые характеристики, то это н а п р я ж е н и е обычно с избытком компенсирует положительное на­ п р я ж е н и е , появляющееся на коллекторе T за счет увеличения температуры. Если последо­ вательно между каскадами включено неремен­ ное сопротивление, то можно экспериментально установить оптимальное значение сопротивле­ ния, необходимое для температурной стабили­ зации. Недостатком этого метода стабилиза­ ции является ограниченный диапазон темпе­ ратур, в пределах которого можно получить удовлетворительную стабильность. В а ж н о от­ метить, что когда два транзистора р-п-р или п-р-п соединены по постоянному току, то темпе­ ратурную стабилизацию можно получить толь­ ко в одном из следующих сочетаний схем включения транзисторов. i 1 a t