* Данный текст распознан в автоматическом режиме, поэтому может содержать ошибки

72 и из уравнения (2-91) Электронные лампы и транзисторы [гл. 2 Ri + Rs (2-99) Л'ко Ri+ Rz О — *) Уравнение (2-98) можно написать через S 5 = I — Si" o + k K 4Я E 1 (S-I) (2-100) И з уравнений (2-100) и (2-99) S р 1 ς; 1) . ' (2-101) (2-102) ; Из уравнений (2-94) и (2-97) Мощность рассеивания в транзисторе при повышенной температуре, равна UKÎ . Выбор величины S производится с учетом допусти­ мого изменения тока коллектора, максимально допустимой мощности рассеивания Jt допусти­ мой мощности рассеивания в стабилизирующей ц е п и . З н а ч е н и е S о т З д о 5 соответствует увеличе­ нию температуры на 80° С при использовании германиевых транзисторов. Т а к к а к д л я кремниевых транзисторов ток коллектора при нулевом токе эмиттера значи­ тельно ниже, чем д л я германиевых транзи­ сторов, то в схемах, где применяются кремние­ вые транзисторы, можно допустить ббльшую величину S. О д н а к о и в том и в другом случае нет общих п р а в и л , к а ж д а я схема д о л ж н а рас­ считываться в индивидуальном п о р я д к е . Д л я схемы, изображенной на рис. 2-79,6, получаем следующие у р а в н е н и я : K ί/ . (2-104) κ •+¾+¾ (2-108) Мощность, потребляемая от источников пи­ тания, определяется из у р а в н е н и я (2-105): P = E /. + £ / = 0 1 а к £ '-+1+1 ' a(E-U -RM Ό — i s K ' + £ А - (2-105) . » (2-109) ; ( 2 Мощность рассеивания в транзисторе прибли­ зительно равна Ui. Уравнения д л я S, / , R R^ E и E взаимо­ связаны, т а к к а к независимыми из этих величин я в л я ю т с я т о л ь к о четыре. Следовательно, н у ж н о знать значения четырех параметров, чтобы определить оставшиеся д в а . Н а п р и м е р , для заданного типа транзистора и величины S зна­ чение E можно определить из уравнения (2-101) для любого н у ж н о г о значения R так к а к ί можно найти по х а р а к т е р и с т и к е транзи­ стора, а н у ж н ы м значением / можно задаться. Кроме того, по х а р а к т е р и с т и к е транзистора можно определить a, a значением U МОЖНО з а д а т ь с я . Остается определить R из уравнения (2-103) и E · из уравнения (2-104). Мощность рассеивания в транзисторе равна U i , а общая мощность, потребляемая от батареи, опреде­ ляется из уравнения (2-105). При уменьшении значения S от батарей потребляется допол­ нительная мощность для стабилизации. С увеличением температуры ток коллек­ тора при нулевом токе эмиттера увеличивается на величину Δ / . Поэтому общий ток коллек­ тора / при повышенной температуре равен: K K к it T t 2 1 2Y κ 0 и K S—1 * 8 - (i - s + «S) a *(E-U -R i ) K K H K ; ) H0 i -Si E K K9 " 1 1 0 ) (2-111) I K — SZ KO I K — KO + Z E(S-I) (2-112) KO SR, (^H + VK — S - I Si ) K0 (2-U3) (2-1J 4) 1 s P = Ei 0 ll + K K κ ο к U+SAi K titt (2-106) где i — начальный ток к о л л е к т о р а . Установив значение U при максимальной рабочей температуре, можно определить зна­ чение UK, Т . е. н а п р я ж е н и е между коллектором и базой при максимальной рабочей темпера­ туре. Д л я схемы, изображенной на р и с . 2-79, а, UK находится из уравнения (2-107): Т а к же к а к и для схемы, показанной на рис. 2-79, а, расчет обычно начинают с уста­ новления нужной величины S H C определения по х а р а к т е р и с т и к а м транзистора требуемых значений I J и i . По х а р а к т е р и с т и к а м тран­ зистора определяют т а к ж е значения α и ί . Величина нагрузки R определяется по з а д а н ­ ному усилению. П о л ь з у я с ь уравнениями (2-109) и (2-110), устанавливают соотношения между E и R и между E и R . З а д а в ш и с ь значе­ нием R определяют величины E и R . Значе­ ние R определяют из уравнения (2-111). Н а ­ пряжение между коллектором и базой при по­ вышенной температуре определяется из ура­ внения (2-113), если заменить *' через / к . K K κ 0 H 1 s IT 3 I н0 0 rt = E , - i f o . + 9 1 I J - ^ f e , (2-107) где ΐκ — т о к коллектора при нулевом токе эмиттера и при повышенной темпе­ ратуре. Значение S большее, чем единица, воз­ никает в результате изменения тока / в цепи базы, что вызывает изменение постоянного на­ п р я ж е н и я на переходе эмиттер—база из-за на­ личия сопротивления RQ в цепи базы. Это уве­ личение п р я м о г о постоянного н а п р я ж е н и я с увеличением температуры вызывает увеличе­ ние I . Ч а с т ь этого тока (1—a) I протекает в цепи базы в направлении, противоположном 1 к 0 9 9