* Данный текст распознан в автоматическом режиме, поэтому может содержать ошибки

66 Электронные лампы и транзисторы [гл. 2 ш е м расстояния от перехода и уменьшается с увеличением н а п р я ж е н и я . Т а к и м образом, з а р я д у перехода за счет атомов донатора и ак­ цептора возрастает с увеличением н а п р я ж е н и я и переход ведет себя к а к емкость. Величина емкости коллекторного перехода зависит от на­ пряжения на переходе, тока через переход, площади и типа перехода. Типичные значения емкостей 5—50 пф. Б л а г о д а р я большому со­ противлению коллектора эта емкость сильно ограничивает диапазон усиливаемых частот. Т а к к а к на пути от эмиттерного перехода к коллекторному переходу носители тока эмит­ тера не получают ускорения, то диффузия но­ сителей тока эмиттера через базу к коллектору происходит относительно медленно, что при­ водит к заметному сдвигу во времени между токами эмиттера и коллектора. Этот сдвиг во времени проявляется к а к фазовый сдвиг тока коллектора относительно тока эмиттера на ча­ стоте сигнала. В схеме с общим эмиттером этот фазовый сдвиг может вызвать значитель­ ное снижение коэффициента усиления по току ляется достаточное количество противополож­ ной примеси, чтобы уравновесить первоначаль­ ную примесь и получить германий с противопо­ л о ж н ы м типом проводимости. Д а л е е , снова производится выращивание кристалла в тече­ ние короткого промежутка времени^ После этого опять изменяется тип проводимости рас­ плавленного германия и производится выращи­ вание кристалла, пока новый слой не достиг­ нет нужного р а з м е р а . Т а к и м способом можно изготовить транзисторы обоих типов: р - я - р и п-р-п. Транзистор типа п-р-п, полученный путем выращивания электронно-дырочных переходов, изображен на р и с . 2-70, а. Плоскостной транзистор можно получить путем вплавления примесей в германий того или иного типа проводимости. В расплавлен­ ный германий добавляется примесь, например мышьяк, чтобы получить германий типа п. Затвердевший металл разрезают на тонкие диски. З а т е м на противоположных поверхно­ стях диска р а с п л а в л я ю т капельки индия или г а л л и я . При этом небольшое количество индия или г а л л и я диффундиЗниттер рует в германий типа база л, образуя в местах Эмиттер сплава области типа р . Т а к и м образом, полу­ чается транзистор т и ­ база па р - л - р . Н а рис. 2-70,6* - л представлен т р а н з и с ­ тор р-п-р сплавного типа. Коллектив Транзистор можно изготовить т а к ж е элек¬ Р и с . 2-70. Схематическое и з о б р а ж е н и е о с н о в н ы х к о н с т р у к ц и й п л о с к о с т н ы х тран­ трохимическим путем. зисторов. Две струи электролита α — т р а н з и с т о р п-р-п, п о л у ч е н н ы й путем в ы р а щ и в а н и я э л е к т р о н н о - д ы р о ч н ы х пере­ направляются на про­ ходов; б — п о п е р е ч н о е с е ч е н и е т р а н з и с т о р а р-п-р с п л а в н о г о типа. тивоположные сторо­ ны пластинки из гер­ база—коллектор β на относительно низких мания с примесями. Через эти потоки про­ частотах при значениях а, близких к единице. пускается электрический ток, в результате чего на пластинке образуются углубления^ Когда Это т а к , поскольку β = кристалл становится достаточно тонким, п о л я р ­ 1 — о" ность потоков меняется и на пластинку герма­ Обладая различной тепловой энергией, ния осаждается вещество с противоположной носители тока эмиттера имеют разные скорости примесью. При такой технологии получается диффузионного движения в базе от эмиттера к транзистор с очень тонким слоем базы и с точно коллектору. Отсюда одни носители доходят до рассчитанными параметрами. Тонкая база зна­ коллектора раньше, другие — позднее, несмот­ чительно улучшает качество работы транзи­ ря на то, что и те и другие в одно и то ж е время стора на высоких частотах, но, с другой сто­ оставили эмиттер. Это рассеивание ведет к иска­ роны, уменьшает допустимую мощность рас­ жению формы сигнала, так к а к разброс во вре­ сеивания. мени прихода носителей на коллектор состав­ л я е т часть периода полезного сигнала. В ре­ С т а т и ч е с к и е х а р а к т е р изультате с увеличением частоты уменьшается с τ и к и. Четыре взаимосвязанные величины коэффициент усиления по току а. характеризуют свойства транзистора и его ре­ ж и м работы в любой схеме. Этими величинами К о н с т р у к ц и я п л о с к о с т н ы х являются: ток эмиттера, напряжение между т р а н з и с т о р о в ^ Плоскостные транзисто­ эмиттером и базой, ток коллектора и н а п р я ж е ­ ры можно изготовить тремя различными спо­ ние между коллектором и базой. Если две из собами. Процесс выращивания электронноэтих величин заданы, то можно определить две дырочных переходов заключается в следующем. другие величины. В резервуар с расплавленным германием до­ бавляется соответствующее количество примеси, Имеется несколько возможных путей по­ чтобы получить германий типа ρ или германий строения характеристик транзистора. Однако типа п. З а т е м в расплавленный материал опу­ чаще всего используют два семейства характе­ скается затравочный кристалл германия. В про­ ристик: I ) зависимость тока коллектора от цессе вытягивания кристалла из расплава на н а п р я ж е н и я на коллекторе при различных нем выкристаллизовывается германий с опре­ постоянных значениях тока эмиттера; 2) зави­ деленным типом проводимости. Когда кристалл симость тока эмиттера от напряжения на эмит­ достигает нужного р а з м е р а , в расплав добав­ тере при различных постоянных значениях тока