* Данный текст распознан в автоматическом режиме, поэтому может содержать ошибки
§ 2-9] Транзисторы 65 него напряжения представлено на рис. 2-68. Д л я прямого н а п р я ж е н и я , вызывающего боль шой прямой ток, обратный потенциал через пе реход почти полностью уничтожается. Через переход возникает относительно большой токпри значениях прямого н а п р я ж е н и я более нескольких J десятых долей воль та. Однако, чтобы получить на пере ходе это н а п р я ж е ние, к внешним за ж и м а м р-л-перехода надо приложить значительно боль шее напряжение (порядка 1 е), так к а к сам германий типа ρ и типа л обладает сопротив лением и на нем будет падение на п р я ж е н и я за счет проходящего через переход тока. При высоких значениях прямого н а п р я ж е Рис. 2-68. И з м е н е н и е потен ния потенциаль циального барьера в з а в и с и ный барьер почти мости от полярности в н е ш равен нулю и един него н а п р я ж е н и я , α — внешнее н а п р я ж е н и е от ственным препят сутствует; б — о б р а т н о е на ствием для тока яв пряжение; в — п р я м о е н а п р я л я е т с я сопротивле жение. ние германия с примесями. E сл и 2-96. Плоскостные транзисторы. присоединить еще один слой типа л или ρ к электронно-дырочному переходу р-л, то полуjw П р и н ц и п работы плоскост ного т р а н з и с т о р а . При отсутствии внешних напряжений распределение потен циала в транзисторе типа л-р-л соответствует кривой на рис. 2-69, в. При подаче постоянных н а п р я ж е н и й , к а к показано на рис. 2-69,г, через переход эмиттер — база протекает отно сительно большой прямой ток, а через переход база — коллектор относительно малый обрат ный ток, так к а к к этому переходу п р и л о ж е н о обратное н а п р я ж е н и е . Однако, если ширина слоя ρ мала по сравнению со средней длиной пути электрона до его рекомбинации с дыркой, то большая часть электронов, прошедших через переход эмиттер—база, диффундирует к пере ходу б а з а — к о л л е к т о р , где под влиянием элек трического поля втягивается в коллектор. Т а к и м образом, почти весь электронный ток эмиттера складывается с обратным током кол лектора. Распределение потенциала в транзис торе типа л-р-л при подаче постоянных н а п р я ж е ний показано на рис. 2-69, д. Когда на коллекторный переход подано обратное н а п р я ж е н и е , ток коллектора факти чески не зависит от н а п р я ж е н и я на коллекторе, так как обратный ток не зависит от высоты по тенциального барьера. В результате сопротив ление коллектора г может быть порядка не скольких мегом. Отношение изменения тока коллектора Δ / к вызвавшему его изменению тока эмиттера AI называется коэффициентом усиления по току и обозначается а: к κ 9 Ml AI T U K = const ' (2-63) P п и г) P η (Эмиттер) η коллектор) Ъмиттер)\ ^si -/^Коллектор) Рис 2-69 Схемы, п о я с н я ю щ и е р а б о т у п л о с к о с т н о г о транзистора. а — схематическое и з о б р а ж е н и е к о н с т р у к ц и и плоскост ного транзистора типа п-р-п; б — схематическое изображение конструкции п л о с к о с т н о г о т р а н з и с т о р а типа р-п-р, е — р а с п р е д е л е н и е п о т е н ц и а л а в транзи сторе типа п р-п при отсутствии в н е ш н и х н а п р я ж е н и й ; г — схема подачи постоянных н а п р я ж е н и й на т р а н з и стор типа п-р-п, д — р а с п р е д е л е н и е п о т е н ц и а л а в тран зисторе типа п-р-п при подаче п о с т о я н н ы х н а п р я ж е н и й . чится плоскостной транзистор типа л-р-л или р-п-р. На рис. 2-69, α и б дано .схематическое изображение этих двух основных типов тран зисторов. Средний слой называется базой (или основанием), один из наружных с л о е в — э м и ? т е р о м , другой — к о л л е к т о р о м . 3 Справочник радиоинженера — напряжение на коллекторе по отно шению к базе. Значение а для плоскостных транзисторов всегда меньше единицы и обычно колеблется в пределах от 0,95 до 1,0. Однако, когда пло скостной транзистор работает по схеме с общим эмиттером, отношение изменения тока эмиттера или коллектора к изменению тока базы обычно бывает в пределах от 20 до 100, что дает большое усиление по току. Т а к как со противление цепи коллектора много больше сопротивления цепи эмиттера, то схема с об щей базой дает большое усиление по мощ ности, несмотря на то, что коэффициент усиле ния по току меньше единицы. Принцип работы транзистора типа р-л-р аналогичен принципу работы транзистора типа л-р-л. Разница заключается в изменении по лярности подводимых постоянных н а п р я ж е н и й и в том, что носителями тока эмиттера я в л я ю т с я дырки, а не электроны. В ы с о к о ч а с т о т н ы е явления. На работу плоскостного транзистора в области высоких частот оказывают неблагоприятное влияние следующие основные факторы: емкость коллекторного перехода, фазовый сдвиг и раз ные скорости диффузионного движения носи телей з а р я д а . Носители з а р я д а , т. е. электроны и дырки, как базы, так и коллектора под влиянием обрат ного н а п р я ж е н и я удаляются от области кол лекторного перехода, оставляя у перехода за ряженные атомы донатора и акцептора. Плот ность носителей заряда возрастает с увеличеK где U