* Данный текст распознан в автоматическом режиме, поэтому может содержать ошибки

по ГЛАВА VI адсорбироваться, Этот процесс иногда называют „обменной адсорбцией" *. Такие адсорбированные посторонние ионы медленно внедряются в кристаллическуюрешетку по мере прохождения процесса рекристаллизации. Таким образом,, перенос путем изоморфного замещения в заранее приготовленном осадке состоит из быстрого процесса обменной адсорбции, сопровождаемого медленным процес­ сом внедрения в кристаллическую решетку во время рекристаллизации. Концентрация Ъо.& миллимолал ь Р и с . 31. Влияние концентрации ионов бария на коли­ чество радия, перенесенного заранее приготовленным осадком BaSC>4, Я мл 0.185 М HCI с 0,3 z BaS0 (осажденного на холоду н прока­ О ленного) кипятились с обратным холодильником в течение '& час. [D20|. 4 На эффективность переноса заранее приготовленными осадками при процессе изоморфного замещения влияют следующие факторы: * Повидимому, изоморфизм смешанных кристаллов не всегда является необходимым условием дли обменной адсорбции. Например, Кольтгофф и Сэнделл [К41] показали, чтоионы сульфата, иодата и гидроксил могут замещать ионы оксалата на поверхности моно­ гидрата оксалата кальция и что ионы бария и марганца могут замещать ионы кальция. Кроме того, Кольтгофф и Розенблюм [К39] показали, что краска Понсо 4R 3Na" SO !p адсорбируется на поверхности сульфата свинца путем обменного адсорбционного про­ цесса, причем 2 молекулы краски замещают 3 иона сульфата, вероятно, благодаря внедре­ нию некоторых сульфонатных групп в поверхностный слой решетки. Это явление может быть связано с образованием аномальных смешанных кристал­ лов. Возможно, ионы индикатора, которые в макроколичествах не внедряются в кристал­ лическую решетку, являются достаточно сходными с одним из ионов решетки для замещения его а поверхностном слое, где условия тождественности размера и формы не так обяза­ тельны. Вследствие низкой концентрации индикаторных ионов кристалл может расти почти нормально, захватывая некоторые индикаторные ионы, но не претерпевая замет­ ного нарушения в результате их присутствия. Большие количества таких посторон­ них ионов на поверхности кристалла не могут захватываться о растущем кристалле без заметного нарушения решетки; следовательно, рост происходит лишь в том случае, когда ион решетки замещает посторонний ион на поверхности в течение быстрого процесса обмена. Таким образом, индикаторные ионы (но не макроколичества посторонних ионов) могут внедряться в решетку и в случае, когда смешанные кристаллы не изоморфны.