* Данный текст распознан в автоматическом режиме, поэтому может содержать ошибки

366 Концентрация напряжения около отверстий волны сдвига [19] при v = 0,28 показано на рис. 52, а и б. Уравнение контура отверстия в плоскости г (г, 9) дано аналитической функцией при р = 1 г = а {с + - ^ ) ; ( ? = ре"). 0 где е= . Приведенные данные показывают, что напряженное состояние около отверстия зависит от упругих свойств материала, от соотношения между размером отверстия и длиной падающей волны, от формы отверстия. т в 6 /о б // X f I 6 9-f и 2 \ Л г V / 2 у л / ^ 1 a) 3m$ T Re6 r 4 / 1 1 t / W 0 1 • Y V Щ 1 UJ Рис. 52 В некотором диапазоне частот приложенной нагрузки динамический коэффициент концентрации выше статического на 8—10%. НАПРЯЖЕНИЯ ВОЗЛЕ ОТВЕРСТИЙ В ТОНКИХ УПРУГИХ ОБОЛОЧКАХ Тонкостенные оболочки применяют в авиа- и судостроении, химиче­ ском машиностроении, ракетной технике и гражданском строительстве. Большинство оболочек имеет отверстия и вырезы различной формы. Отверстия и вырезы вызывают в оболочках возмущения напряженного состояния, причем компоненты дополнительного напряженного состоя­ ния, вызванные наличием отверстия, превосходят в несколько раз соот­ ветствующие компоненты в той же оболочке без отверстия при той же нагрузке. Хотя эти возмущения быстро затухают при удалении от от­ верстия, однако значительное увеличение напряжений в зонах возле отверстий существенно влияет на несущую способность всей конструк­ ции. Ниже приведены коэффициенты концентрации напряжений в тонких упругих оболочках, ослабленных криволинейными отверстиями с урав­ нением контура [33 ] х = R [cos ф + е cos М р ] ; у = R [sin ф — е sin M p ] , г j где Л — целое положительное число; j е j — малая величина (| е | < !)•