* Данный текст распознан в автоматическом режиме, поэтому может содержать ошибки
346
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ
ковых приборов ?см.?, служащих мате риальной базой современной радиоэлек троники, автоматики и вычислительной техники. К П. принадлежат бор, угле род (алмаз), кремний, германий, селен, теллур, арсенид галлия, фосфид галлия, карбид кремния, многие оксиды, сульфи ды, теллуриды, селениды и др., а также многие органические соединения. Раз личают П. твёрдые — кристаллические и аморфные — и жидкие.
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ — общее название разнообразных
приборов, действие которых основано на свойствах полупроводников ?см.?. К ним относятся нелинейные и отрицательные сопротивления ?см.? (резисторы), полу проводниковые диоды ?см.?, транзис торы ?см.?, фоторезисторы, фотодиоды, фотоэлементы ?см.? и их разновидности и др. П. п. служат для генерирования, усиления и преобразования (по роду тока, частоте и т. д.) электрических колебаний (полупроводниковый диод, транзистор, тиристор), преобразования сигналов од ного вида в др. (фоторезистор, фотодиод, фототранзистор) и одних видов энергии в др. (термоэлемент, термоэлектричес
кий генератор, солнечная батарея и др.), а также для преобразования изображений, измерения электрических и механических величин и др. Достоинства П. п. по срав нению с электровакуумными прибора ми ?см.? следующие: компактность, малые инерционность, потребляемая мощность, размеры и масса; значительно меньшее выделение теплоты в схеме; большие про ? чность, срок службы и надёжность. Их недостатками являются низкая стойкость к повышенным температурам и радиоак тивным излучениям.
ПОЛУФАБРИКАT — изделие ?см.?, нуждающееся в дальнейшей технологи ческой обработке для получения из него готовой продукции в окончательном, год ном к использованию виде. ПОЛЮС — (1) особая, высшая, край няя точка чего либо; (2) П. географи ческий (Северный и Южный) — вооб ражаемая точка пересечения оси вра щения Земли с земной поверхностью. Географические П. — это единственные точки земной поверхности, не участву ющие в суточном вращении Земли; они являются точками пересечения мериди анов; (3) П. геомагнитный — каждая
К ст. Полупроводниковые приборы
а) Высокочастотный сплавной диффузионный транзистор (1 — эмиттер; 2 — база; 3 — пла стинка полупроводника; 4 — кристаллодержатель; 5 — баллон; 6 — проходной изолятор; 7 — вывод базы; 8 — вывод коллектора; 9 — вывод эмиттера); б) включение транзистора по схеме с общей базой (p — область с проводимостью p типа; n — область с проводимо стью n типа; i — сила тока; Rн — нагрузочный резистор)