* Данный текст распознан в автоматическом режиме, поэтому может содержать ошибки

Транзисторы 6.2» М А Р К И Р О В К А Б И П О Л Я Р Н Ы Х Т Р А Н З И С Т О Р О В С ИЗО Л И РО ВАН Н Ы М ЗАТВО Р О М Для ком мутации больших токов в таких областях, как мощные высоковольтные коммутаторы, устройства управления двигателями,, преобразователи анергии,, бесперебойные источники питания и сва­ рочные аппараты, все чаще применяются биполярные транзисторы с изолированным затвором IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor). 8 настоящее время они вытесняют мощные биполярные и составные транзисторы (схемы Дарлингтона). В основу услояных обозначений JGBT положен буквенно-цифро­ вой код. Описание типа IG ВТ транзистора раскрывает значения основ­ ных параметров (величина рабочего напряжения и частота, рабочий то< наличие демпферного диода) и конструктивное исполнение. г G4PC50UD I— 1тгл | 0502Н — Каталожный номер . .— фирменый знак 1041 1041 Код страны |—• Дата выпуска —it i Тип транзистора inn г|nn4№тира С- затвор С - коллектор Е - эмиттер Рис 6. В. Б.чешл ий вид и схемяаа обозначение IGBT транзистора Первый элемент в маркировке (обычно буквы и цифры) обозна­ чает код разработки по !GBT технологии. Следующая далее буква обозначает тип корпуса (см.р^с.б.З). — Таблица 6.2. Типы корпусов транзисторов _J TQJZ0AB [ р_ Г Затем обозначают величину рабочего напряжения (бу.<ва). Таблица 6.Э. Коды рабочего напряжения Кд о 4 С 500В 6003 Как н F Нп с и а л ры н 9QQB 1200В Последующие цисорь определяют размер кристалла, по величине которого можно косвенно судить о величине тока через транзистор (для температуры 25 С приблизительно можно сопоставить вел ичину П 119