* Данный текст распознан в автоматическом режиме, поэтому может содержать ошибки

558 Линии передачи [гл. 20 где d в сантиметрах д л я формулы (20-75); Z LuC представлены на рис. 20-13 к а к функции от Djd. Д в у х п р о в о д н а я л и н и я передачи, п о к а з а н ­ ная на рис. 20-12,а, обычно применяется на та­ ких частотах, когда потери на излучение не¬ значительны. Недавно было показано *, что 0 f ф L = 0,460 lg D [мкгн/м]; [пф/м] (20-77) (20-78) 24,1 C = ig 8,3 Диэлектрик ^ -B—-4 m Vf [мком/м], (20-79) 0 7777777777^ а) 6) где d в сантиметрах в формуле (20-79); Z , L и С приведены на р и с . 20-14, к а к функции D/d. 20-3. К О А К С И А Л Ь Н Ы Е ЛИНИИ ПЕРЕДАЮЩИЕ Р и с . 20-12. Д в у х п р о в о д н ы е л и н и и п е р е д а ч и . а — обычная д в у х п р о в о д н а я л и н и я ; б — п а р а л л е л ь н ы е л и н и и д л я сантиметровых волн (полосковые линии). некоторые разновидности двухпроводных л и ­ ний передачи могут п р и м е н я т ь с я в диапазоне частот почти до сантиметровых волн. Д л я умень­ шения потерь на излучение и д л я получения приемлемых параметров линии применяются разновидности, показанные на р и с . 20-12,6. При больших величинах Ь/Н п о существу вся 5,0 Коаксиальные линии применяются д л я передачи электромагнитной энергии, начиная от низких частот и до частот порядка тысяч мегагерц. Можно считать, что токи в такой ли­ нии текут п о внешней поверхности внутрен­ него проводника и п о внутренней поверхности большего по величине внешнего 50 проводника, коаксиального с первым, т а к к а к толщина про­ то • k,0 ио водников почти всегда больше глубины проникновения тока ^ в проводник из-за поверхност200 ^ ного эффекта. •ψ Следовательно, потери на •ίζο 20 излучение у к о а к с и а л ь н ы х л и ­ ний передач, которые имеют сплошной внешний проводник, 400 ко • по существу отсутствуют, и изо­ лирующие устройства, поддер­ ж и в а ю щ и е внешний проводник, не требуются. Коаксиальные линии могут быть или гибкими Р и с . 20-13. В о л н о в о е с о п р о т и в л е н и е , и н д у к т и в н о с т ь и емкость на е д н с одним или более слоями про­ ницу д л и н ы д в у х п р о в о д н о й л и н и и к а к ф у н к ц и и D/d. водящей оплетки д л я внешнего энергия сосредоточена в пространстве в непо­ проводника, или жесткими с использованием средственной близости от л и н и и . З а т у х а н и е д л я внешнего проводника сплошной металли­ в этом случае больше, ч е м в волноводах, но ческой т р у б к и . меньше, чем в коаксиальных л и н и я х , исполь­ Внутренний проводник может быть за­ зующих такой ж е диэлектрик. При малых ве­ креплен сплошным диэлектриком, диэлектриличинах Λ/λ излучаемая мощность иа длину волны составляет малую часть передаваемой мощности. Этот тип линии имеет уменьшенную допустимую мощность и большую взаимную связь между соседними линиями по сравнению с другими разновидностями линий передач сантиметровых волн. О д н а к о применение та­ ких устройств позволяет з н а ч и т е л ь н о упро­ стить элементы сантиметровых линий передач. 20-2в. Четырехпроводные симметричные ли­ нии. Этот тип линии обеспечивает лучшее эк­ ранирование и меньшие потери на излучение, чем двухпроводная симметричная л и н и я . Па­ раметры линии этого типа следующие: 3 0 Я! ю Z = 1381g 0 1 D YI e [ом]\ (20-76) Р и с . 20-14. П а р а м е т р ы четырехгтроводыой передачи. линии Ргос. I R E , 1952, № 12, vol. 40, Microstrip-a new Iransmission technique for the kilomegacycle range, by D. D. G r i e g a n d H . F . E n g l e m a n n; Simp­ lified theory of microstrlp transmission systems, by F. A s s a d o u r i a n and E . R 1 m a 1; Microstrlp components, by J . A . Kostriza. чески ми шайбами, расположенными на некото­ ром расстоянии одна от другой, или держателя­ ми, состоящими из закороченных секций ко­ аксиальной л и н и и , п а р а л л е л ь н ы х основной линии.