* Данный текст распознан в автоматическом режиме, поэтому может содержать ошибки

ί n Обострение W-3j с помощью RLC цепи 339 ш напряжение ге нием вых и в ы х определяется sin —о г выраже­ (ù t (10-4) „— δω t n t 8 I YLiC 1/Ί-S где 5 и — те же параметры, что и в уравне­ нии (10-3). На рис. 10-7 по уравнению (10-4) построены кривые выходного н а п р я ж е н и я д л я различных значений коэффициента з а т у х а н и я δ. При δ = 1 схема имеет критическое затухание и выброс 1 В любой RLC цепи резонансная частота ω должна быть высокой для обеспечения быстрого нарастания импульса. На рис. 10-5, а отношение L/C д о л ж н о быть возможно большим д л я получения желаемой величины з а т у х а н и я при приемлемом сопротивлении источника. В схеме с генератором тока (рис. 10-5, б) д л я получения возможно большей амплитуды вы­ ходного н а п р я ж е н и я сопротивление У L/C должно быть малы м. π ~j4o к s I 1 Ilf W Il / Пример 10-2 Рассчитать обостряющую RLC цепь для получения отрицательного импульса с време­ нем нарастания 0,1 мксек при возбуждении от анода пентода типа 5840. Н а п р я ж е н и е источ­ ника анодного питания 100 в, амплитуда пода­ ваемого на сетку положительного импульса 10 в. Л а м п у можно рассматривать как генератор постоянного тока. Решение 1. Общие схемные с о о б ρ аж е н и я. Д л я получения максимальной амплитуды импульса коэффициент затухания должен быть малым, а для уменьшения выброса должен быть включен демпфирующий диод. Соответ­ ствующая схема приведена на рис. 10-8. В ка­ честве демпфирующего диода используется субмиииатюрный диод типа 5829. V-,"—V 1 Wl ^Ql Sr/ Рнс 10 6. Кривые в ы х о д н о г о н а п р я ж е н и я о б о с т р я ю щ е й RLC цепи, изображенной на рис. 10-5, а, п р и п о л о ж и :ельном перепаде в х о д н о г о н а п р я ж е н и я с а м п л и т у пой U . BX 04 ^ У\ S fi*—и Рис Ю-b Схема о б о с т р я ю щ е й цепи (к п р и м е р у 10-2), RLC \ / t 2. О п р е д е л е н и е емкости С. Д л я получения малого времени нарастания емкость С должна быть возможно меньшей. Минимальное значение емкости С определяется выражением '-'мин — ^вых ~Ь ~Ь С ι -т~ i Рис 10 7 Кривые в ы х о д н о г о н а п р я ж е н и я о б о с т р я ю щ е й RlC цепи, изображенной на рис. 10-5, б, п р и п о л о ж и TCibiiOM перепаде в х о д н о г о тока с а м п л и т у д о й / BX где С в импульсе отсутствует. При меньших значе­ ниях затухания амплитуда импульса увеличньается, а его длительность уменьшается. Однако при уменьшении з а т у х а н и я увеличи­ вается выброс. Можно добиться пренебрежимо малой величины выброса путем включения параллельно RLC цепи диода, который отпи­ рается при перемене полярности выходного напряжения. выходная емкость лампы JJ , рав­ ная 3,4 пф; емкость между анодом и всеми ос­ тальными электродами диода Д равная 2,6 пф; распределенная емкость индуктив­ ности L ; C — паразитная емкость (включая емкость цоколя), р а в н а я 5 пф. Поэтому в ы ч 2 ( ii m h h 1 C ^ И пф -Ь C . 3. О п р е д е л е н и е р е з о н а н сH о й ч а с т о т ы „,