* Данный текст распознан в автоматическом режиме, поэтому может содержать ошибки

330 Схемы переменной задержки [гл ncx 9 должно быть выбрано равным или меньшим 90 в с таким расчетом, чтобы н а п р я ж е н и е на защитной сетке могло изменяться на требуемую величину 20 в. 2. В ы б о р с о п р о т и в л е н и я R. К а к видно из рис. 9-3, сопротивление анод­ ной н а г р у з к и порядка 100 ком обеспечивает резкое возрастание тока э к р а н и р у ю щ е й сетки при н а п р я ж е н и и на аноде, соответствующем нижнему сгибу анодной х а р а к т е р и с т и к и при нулевом сеточном смещении. Поэтому примем значение R = 100 ком. a a Поэтому исходное н а п р я ж е н и е U должно р е г у л и р о в а т ь с я в пределах 16,3—200 в. 6. О п р е д е л е н и е сопротив­ лений R, R и R. Т а к к а к имеющиеся х а р а к т е р и с т и к и ламп не я в л я ю т с я достаточно полными д л я опреде­ ления н а п р я ж е н и я и тока э к р а н и р у ю щ е й сеткн при отсечке анодного тока, значения сопротив­ лений Ri, R и R легче всего определяются экспериментальным путем. Сопротивления R и Кз должны быть отрегулированы таким обра­ зом, чтобы н а п р я ж е н и е на защитной сетке было н е с к о л ь к о больше н у л я при напряжении на э к р а н и р у ю щ е й сетке 120 в. Сопротивление R д о л ж н о иметь т а к о е значение, при котором изменение тока э к р а н и р у ю щ е й сетки в период между двумя состояниями вызывает достаточно большой перепад н а п р я ж е н и я на защитной сетке д л я обеспечения отсечки анодного тока в режиме, соответствующем состоянию покоя. З а к л ю ч е н и е . П о л н а я схема фантастрона со с в я з ь ю по эк­ ранирующей сетке приведена на р и с . 9-7,Задер1 s a a A t 3. О п р е д е л е н и е в е л и ч и н ы и с х о д н о г о с м е щ е н и я на уп­ р а в л я ю щ е й сетке при повы­ шении н а п р я ж е н и я на защит­ ной сетке до нуля. На р и с . 9-3 на семействе анодных х а р а к т е ­ ристик лампы построена к р и в а я зависимости E — U от U . Точка а пересечения этой к р и ­ вой с линией н а г р у з к и представляет собой начальную рабочую точку в течение периода проводимости. Согласно р и с . 9-3 н а п р я ж е н и е U р а в н о —4,5 в. a cl ic ci 1 4. О п р е д е л е н и е сопротив­ ления K и емкости C из у р а в ­ нения (9-8). При максимальном времени задержки 800 мксек исходное н а п р я ж е н и е U выбирается равным E . Согласно рис. 9-3 н а п р я ж е н и е U , соответствующее точке Ь, п р и б л и з и т е л ь н о равно 4 в. Поэтому из у р а в н е н и я (9-8) c 1 ncx a itrn Входной запускающий ^ c C 1 = 8 Е л ^исх U, π A 800 • I Q - - 200 200—4 816 мксек. Время, требуемое д л я п е р е з а р я д а конденсатора C i при отсечке анодного тока, определяется уравнением (9-6): T ^AfiR C . b a 1 Р и с . 9-7. Р а с ч е т н а я схема фантастрона оо с в я з ь ю по э к р а н и р у ю щ е й ceiKe (к п р и м е р у 9-П. Время восстановления Поэтому /? С ^ а 2 0 0 4 6 1 0 составляет 200 " ' ' = 4 3 , 5 · Ι0-". мксек. При R ay равном 100 ком, емкость C c 1 43,5 . ΙΟ" IO 1 6 435 пф. Пусть R = 2,2 Мом, C l = тогда = 3 7 1 П ф жанный селекторный импульс может сниматься с экранирующей илн защитной сетки. Конден­ сатор C должен и меть емкость порядка 50 пф. Н а п р я ж е н и е смещения на аноде диода Д дол­ ж н о составлять около —20 в или несколько больше с т а к и м расчетом, чтобы напряжение на защитной сетке оставалось ниже н а п р я ж е н и я отсечки до поступления з а п у с к а ю щ е г о импуль­ са на анод диода Д . Схема з а п у с к а е т с я удо­ влетворительно при амплитуде запускающего импульса порядка 20 в. s 3 а 816 - IQ'« 2,2-10- ' 9-3. 5. О п р е д е л е н и е т р е б у е м ы х п р е д е л о в и з м е н е н и я напряже­ ния £/ . При времени задержки 800 мксек £/ = = 200 в. Минимальное время з а д е р ж к и состав­ л я е т 50 мксек. Из уравнения (9-8) и с х исх СХЕМА ФАНТАСТРОНА СВЯЗЬЮ С КАТОДНОЙ // л п —г/ ι 7д а £ _ = 4 ' 0 , 5 0 - 10-° -200 + 816 - I O 6 ' = 1 Ь ' 3 "· В фантастроне со связью по экранирующей сетке п о л о ж и т е л ь н а я обратная с в я з ь , обуслов­ л и в а ю щ а я возможность развития регенератив­ ного процесса при опрокидывании, обеспечи­ вается с помощью цепочки RC между защитной и э к р а н и р у ю щ е й сетками. Т а к а я ж е положи­ тельная обратная с в я з ь может быть получена при включении сопротивления в цепь катода. Н а рис. 9-8 приведена типичная схема фанта-