* Данный текст распознан в автоматическом режиме, поэтому может содержать ошибки

Схема фантастрона со связью по экранирующей сетке 329 рой равен некоторому исходному значению ^исх.то снижение н а п р я ж е н и я на аноде начнется от значения t / вместо E , а длительность стадии протекания анодного т о к а будет опре­ деляться выражением IICX a T= a U " c x Г U *' . П (9-8) Таким образом, д л и т е л ь н о с т ь периода, в течение которого п р о т е к а е т анодный т о к , прямо пропорциональна разности между ис­ ходным напряжением U и некоторой постоян­ ной величиной. Этот период, следовательно, можно использовать д л я п о л у ч е н и я селектор­ ного импульса с з а д е р ж к о й , л и н е й н о изменяю­ щейся с изменением постоянного у п р а в л я ю щ е г о напряжения. З а д е р ж а н н ы й сигнал может сниматьсясэкранирующей или защитной сетки,если желательно получить п о л о ж и т е л ь н ы й селек­ торный импульс, или с у п р а в л я ю щ е й сетки, если желательно получить небольшой отрица­ тельный импульс. Время восстановления фантастрона может быть значительно у м е н ь ш е н о путем з а р я д а конденсатора C от катодного п о в т о р и т е л я , управляющая сетка которого непосредственно связана с анодом лампы Jl к а к это п о к а з а н о на рис. 9-6. П о л ь з у я с ь этим способом, можно ncjt 1 u конденсатора C д о л ж н а быть в 5 или 10 р а з больше паразитной емкости защитной сетки д л я обеспечения полной передачи и з м е н е н и я н а п р я ж е н и я э к р а н и р у ю щ е й сетки на з а щ и т н у ю сетку. Величина емкости конденсатора связи д о л ж н а быть выбрана т а к о й , чтобы был обес­ печен полный р а з р я д его в течение стадии восстановления фантастрона. Типичные вели­ чины емкости конденсатора C обычно л е ж а т в π редел ах 22—100 пф. Н а п р я ж е н и е на з а щ и т н о й сетке в состоя­ нии покоя д о л ж н о быть равно или ниже з н а ч е ­ ния, требуемого д л я отсечки анодного т о к а . Н а п р я ж е н и е на экранирующей сетке в состоянии покоя д о л ж н о быть достаточно н и з к и м с т а к и м расчетом, чтобы н а п р я ж е н и е на защитной сетке (вследствие связи между экранирующей и защитной сетками) могло изменяться от зна­ чения н и ж е н а п р я ж е н и я отсечки до з н а ч е н и я выше ж е л а е м о г о исходного н а п р я ж е н и я . Этому соответствует изменение н а п р я ж е н и я на экра­ нирующей сетке от з н а ч е н и я , относящегося к состоянию п о к о я , до з н а ч е н и я , соответствую­ щего окончанию периода п р о т е к а н и я анодного т о к а . Н а п р я ж е н и е на защитной сетке в течение периода проводимости фиксируется на ж е л а е ­ мом исходном уровне с помощью диода Д и делителя н а п р я ж е н и я , образованного сопротив­ л е н и я м и Rs и R (см. р и с . 9-1). При т а к о м способе установки н а п р я ж е н и я на защитной сетке, а не с помощью д е л и т е л я н а п р я ж е н и я Ri R и Rn можно свести к минимуму колеба­ ния н а п р я ж е н и я на защитной сетке от л а м п ы к лампе, обусловленные вариацией х а р а к т е р и ­ стик тока э к р а н и р у ю щ е й сетки. Д л я у п р о щ е н и я расчета н а п р я ж е н и я на э к р а н и р у ю щ е й и з а щ и т ­ ной сетках обычно выбираются т а к и м и , д л я которых имеются соответствующие х а р а к т е ­ ристики. О д н а к о эти н а п р я ж е н и я не я в л я ю т с я критичными. 9 a 3 l b 9 2 t Рве. 9*6. Схема фантастрона с о с в я з ь ю по э к р а н и р у ю ­ щей сетке, в которой и с п о л ь з у е т с я катодный повтори­ тель для быстрого з а р я д а к о н д е н с а т о р а C . 1 уменьшить время восстановления до нескольких микросекунд даже в том с л у ч а е , когда дли­ тельность спадания анодного н а п р я ж е н и я со­ ставляет несколько миллисекунд. В течение периода проводимости мгновен­ ное значение н а п р я ж е н и я на у п р а в л я ю щ е й сетке U определяется выражением ci Пример 9-1 Р а с с ч и т а т ь схему с переменной з а д е р ж к о й н а п р я ж е н и я т и п а фантастрона со с в я з ь ю по э к р а н и р у ю щ е й сетке на пентоде 6AS6. Время з а д е р ж к и д о л ж н о и з м е н я т ь с я от 50 д о 800 мксек, а периоды между импульсами д о л ж н ы состав­ л я т ь 1 000 мксек. Н а п р я ж е н и е источника анод­ ного питания р а в н о 200 в, а н а п р я ж е н и е источ­ ника смещения — минус 150 в. Анодные х а р а к ­ теристики лампы 6AS6 приведены на р и с . 9-3. Решение О п р е д е л е н и е н а п р я ж е ­ на э к р а н и р у ю щ е й и защит­ сетках. Д л я л у ч ш е г о использования лампы при* мем н а п р я ж е н и е на э к р а н и р у ю щ е й сетке (во время протекания анодного тока) р а в н ы м 120 е. При н а п р я ж е н и и на э к р а н и р у ю щ е й сетке + 120 в н а п р я ж е н и е отсечки по защитной сетке лампы 6AS6 составляет п р и б л и з и т е л ь н о — 15 е. Поэтому примем н а п р я ж е н и е на защитной сетке р а в н ы м — 20 β (в стадии п о к о я ) . Д л я удобства п р и м е м т а к ж е н а п р я ж е н и е на защитной сетке при протекании анодного тока равным н у л ю . Катод диода Д может быть в этом случае з а з е млен, а сопротивления R и на рис. 9-1 могут быть опущены. Н а п р я ж е н и е на э к р а н и р у ю щ е й сетке при запертой по анодному току л а м п е ний ной г i 1. к = U + ( E - U ) ( i - e - "Xc с1 cl a TL c i Ufl + % (9-9) Соответствующая диаграмма п р е д с т а в л е н а на рис. 9-2. Для обеспечения возможно быстрого проте­ кания процесса о п р о к и д ы в а н и я в начале и в конце периода проводимости необходимо включить переходный конденсатор небольшой емкости C между э к р а н и р у ю щ е й и защитной сетками.Благодаря этому н а п р я ж е н и е на защит­ ной сетке следует за быстрыми изменениями напряжения на экранирующей сетке. Емкость t