* Данный текст распознан в автоматическом режиме, поэтому может содержать ошибки

Способы амплитудной — мощность, потребляемая анодной цепью высокочастотного усилителя; Po — мощность модулятора при сеточной модул я цн и с мещен и е м, оп ре деляемая по формуле (5-22). 5'3d. Модуляция на защитную сетку. В пентодном высокочастотном усилителе класса С амплитудная модуляция может быть получе­ на введением модулирующего н а п р я ж е н и я в непьзащитной сетки. Схема генератора с моду­ ляцией на защитную сетку п о к а з а н а иа рис. 5-16. t c модуляции 177 A TM P плитуды выходного н а п р я ж е н и я U можно при­ менить формулу U SI = SRM C (5-25) где 5 — крутизна статической анодно-сеточной характеристики. П р и работе на участке анод­ но-сеточной характеристики, где крутизна из- Qm Возбу­ дителя напряжение Рнс. 5-16. Модуляция п о з а щ и т н о й се псе в пентодном высокочастотном у с и л и т е л е к л а с с а С. Р и с . 5-17 Модуляция по схеме Ван-дер-Байджла. Импульсы анодного тока изменяются в соот­ ветствии с изменениями н а п р я ж е н и я на защит­ ной сетке под действием модулирующего сиг­ нала. Это и дает амплитудную модуляцию (изменяется соотношение между токами анода н экранирующей сетки, а общий ток лампы при неизменном напряжении на экранной сетке остается постоянным). Поскольку при модуля­ ции на защитную сетку ток экранной сетки из­ меняется обратно пропорционально анодному току и при модуляции возрастает мощность, рас­ сеиваемая на экранной сетке, что может огра­ ничивать величину коэффициента модуляции. Как и в случае сеточной модуляции сме­ щением к. п. Д. лежит в пределах 35—40% Однако при пентодной модуляции получают бо­ лее линейную модуляцию, т а к как н а г р у з к а воз­ будителя, представленная входным сопротив­ лением высокочастотного у с и л и т е л я , не зависит от модуляции. Это у л у ч ш а е т модуляционную характеристику, представленную линией OA на рис. 5-13, хотя при высоком коэффициенте модуляции вносятся некоторые искажения то­ ков сигнала. Д л я m = 0,8—0,9 обычно имеет место хорошая линейность модуляционной ха­ рактеристики. Питанием экранирующей сетки через гасительное сопротивление и шунтирова­ нием ее по высокой частоте, но не по частоте мо­ дуляции, можно свести к минимуму рассеяния на этой сетке, обеспечивая уменьшение напря­ жения на ней при возрастании тока. 5-Зе. Модуляция по схеме Ван-дер - Байджла. На рис. 5-17 показана эта схема. В ней приме­ няется высокочастотный у с и л и т е л ь класса А с малой амплитудой высокочастотного напря­ жения возбудителя, последовательно с которым подводится относительно большое модулирую­ щее напряжение. При этом модулирующее нап­ ряжение изменяет сеточное смещение. Послед­ нее изменяет коэффициент усиления каскада и первая гармоника анодного тока оказывается промодулироваиной по амплитуде. Внутреннее сопротивление пентода R зна­ чительно больше эквивалентного сопротивления нагрузки /? , Следовательно, для расчета амi 3 меияется линейно с изменением н а п р я ж е н и я смещения, модуляция будет линейной. Линей­ ному изменению крутизны соответствует квад­ ратичное изменение анодного тока от изменения смещения на сетке. Д л я большинства пентодов область линейного изменения крутизны 5 до­ статочно велика д л я того, чтобы получить ли­ нейную модуляцию с m ^=S 50%. Коэффициент модуляции в пределах участка с линейным из­ менением крутизны определяется формулой <5-2б> где S и S — минимальное и максимальное зна­ чения крутизны. Коэффициент полезного дей­ ствия такого модулятора иизок, требующиеся мощность возбуждения и мощность модуляции очень малы. Кроме того, модулятор легко регу­ лируется. 5-Зж. Диодная модуляция. Д и о д н а я моду­ л я ц и я осуществляется так же, как н диодное детектирование или преобразованне. Рассмот­ рим схему диодного модулятора, приведенную на рис. 5-18. Предположим, что на вход под­ ведено два н а п р я ж е н и я : X 2 U Q COS Qt 4 - U cos (ùt. IA Если к а к обычно, амплитуда несущей U значительно больше амплитуды модулирующего н а п р я ж е н и я t / , проводимость диода с его на­ грузкой равна; ö п р и ё = 0 л при U IA <0. д Зависимость проводимости £ от приложенного н а п р я ж е н и я дана на рис. 5-18, в. Она может быть записана в виде ряда Фурье. 5д = So + Si ' + Ss cos 2u>t + + £ cos 3ωί -|+ g cos ηωί, s n c o s ω (5-27)