* Данный текст распознан в автоматическом режиме, поэтому может содержать ошибки
2-9] Транзисторы 67 коллектора. Эти два семейства характеристик дают возможность полностью определить ус ловия работы транзистора. Кроме того, так как широкое применение находит схема с общим эмиттером, то заводские данные очень часто включают семейство характеристик, по казывающее зависимость тока коллектора от напряжения на коллекторе при различных постоянных значениях тока базы. Использо- Q5 О -IQ -ZQ-ZS Напряжение коллектору $ 5 Рис. 2-71. to ts б го Иапряжение^оллектора, Х а р а к т е р и с т и к и т и п и ч н о г о плос костного т р а н з и с т о р а . Û — для схемы с о б щ е й б а з о й ; б — д л я схемы с о б щ и м э м и т т е р о м . ванне этих характеристик з н а ч и т е л ь н о упро щает построение линии н а г р у з к и и определение рабочей точки для усилителей по схеме с общим эмиттером. Семейства характеристик для типичного плоскостного транзистора при ведены на рис. 2-71. К а к видно из рис. 2-71, а, коллекторные характеристики прямолинейны, почти параллельны оси н а п р я ж е н и й и расстоя ние между всеми соседними кривыми почти одинаково. Это указывает на высокое выходное сопротивление и на хорошую линейность при больших сигналах. 2-9в. Точечно-контактные транзисторы. Первыми конструкциями транзисторов были точечно-контактные. Схематическое изображе ние устройства точечно-контактного транзисто3» ра типа р-п-р п о к а з а н о на рис. 2-72. Д в а элек трода с остро заточенными концами соприка саются на небольшом расстоянии друг от Друга с пластинкой германия типа я , которая я в л я ется базой транзистора. В процессе изготовле ния около контактов с электродами в массе германия типа η обра зуются небольшие по лусферические обла сти германия т и п а р. Одна из этих областей является эмиттером, другая—коллектором. В процессе формовки относительно большой ток пропускается че рез коллектор в тече ние короткого проме ж у т к а времени, чтобы Р и с . 2-72. Схематическое изображение конструкции получить в материале точечно-контактного т р а н базы, окружающем зистора. коллектор, электрон 1 — электрод эмиттера; но-дырочный переход. 2 — электрод коллектора; Постоянное отрица 3 — область с германием тельное напряжение типа р; 4 — б а з а (германий типа п). на коллекторе увели чивает потенциальный барьер перехода и уменьшает прямой ток до зна чения, меньшего, чем обратный ток / б . При по даче постоянного положительного н а п р я ж е н и я на эмиттер между эмиттером и базой будет проте кать ток. Носителями этого тока в основном являются д ы р к и , двигающиеся от эмиттера к базе. Т а к к а к переход база—коллектор нахо дится очень близко от перехода эмиттер—база, то дырки притягиваются к коллектору под вли янием градиента потенциала через коллектор ный переход. Хотя механизм усиления тока еще недостаточно изучен, однако опыт пока зывает, что точечно-контактные транзисторы дают усиление тока большее, чем единица. Типичные значения коэффициента α от 2 до 3. Статические характеристики. Статиче ские характеристики типичного точечно-кон тактного транзистора даны на рис. 2-73. Срав нение с характеристиками плоскостного тран зистора (рис. 2-7Π показывает, что сопротив ление коллектора г для точечно-контактного транзистора значительно меньше, обычно по рядка 50 ООО ом. Входное сопротивление сов сем низкое, от нескольких сотен ом при малых токах эмиттера и примерно до 50 ом при больших токах. Типичное усиление мощности для точеч но-контактного транзистора порядка 20—30 дб. Ч а с т о т н а я х а р а к т е р и с т и к а . Частотная характеристика точечно-контактных транзисторов ограничивается теми ж е фактора ми, которые были рассмотрены для плоскостных транзисторов (см. § 2-96). Однако более низкое сопротивление коллектора г и меньшая ем кость коллектора благодаря меньшей площади коллекторного перехода ослабляют в л и я н и е этих факторов по сравнению с плоскостными транзисторами. Явления рассеивания и вре мя перехода носителей тока от эмиттера к коллектору ограничивают частотную харак теристику, уменьшая α по мере роста частоты. Однако в точечно-контактном транзисторе время 0 р к к