* Данный текст распознан в автоматическом режиме, поэтому может содержать ошибки

§ 2-6} Пентоды 49 и уменьшают несколько свою скорость под действием тормозящего поля, все ж е проходят через плоскость защитной сетки и достигают анода. При уменьшении анодного н а п р я ж е н и я отрицательный градиент потенциала между второй и третьей сетками становится больше, и средний потенциал в плоскости защитной сеткн приближается к фактически существующему на ней н а п р я ж е н и ю . Увеличившийся отрица­ тельный градиент потенциала вызывает умень­ шение скорости электронов, попадающих в про­ странство э к р а н и р у ю щ а я сетка — з а щ и т н а я сетка, увеличивая т е м с а м ы м пространствен­ ный заряд, что ведет к дальнейшему увеличению отрицательного градиента потенциала между экранирующей и защитной сетками. Когда потенциал анода становится несколько меньше потенциала экранирующей сетки, в плоскости защитной сетки образуется фиктивный катод, в результате чего потенциал в плоскости за­ щитной сетки будет иметь небольшое отрица­ тельное значение по отношению к катоду н к за­ щитной сетке. Б л а г о д а р я этому только те элек­ троны, которые приходят в пространство экра­ нирующая сетка — з а щ и т н а я сетка с достаточ­ ными скоростями, преодолевают отрицатель­ ный градиент потенциала и достигают анода, все другие электроны поворачиваются обратно н попадают либо на э к р а н и р у ю щ у ю сетку, либо в область пространственного з а р я д а вблизи катода. При этом малые изменения н а п р я ж е н и я на аноде вызывают значительные изменения шодного тока, т а к к а к отрицательный градиент ютенциала между защитной и экранирующей етками относительно сильно меняется. Pacфеделение потенциала д л я этого случая дано 4а рис. 2-43, б. К а к видно из рис. 2-42, где (ависимость экранного тока от н а п р я ж е н и я на шоде изображена пунктирными л и н и я м и , обдий ток катода в пентоде почти не зависит от ютенциала анода. Потенциал анода определяет тишь распределение тока катода между зкра!Ирующей сеткой и анодом. Кроме анодных характеристик, д л я пентода тредставляют практический интерес анодно:еточные характеристики и кривые зависимости крутизны S от н а п р я ж е н и я на управляющей ;етке. Эти кривые д л я типичного пентода пред:тавлены на рис. 2-44. Хотя анодно-сеточные характеристики даются д л я различных по­ стоянных напряжений на аноде, очень высокое динамическое внутреннее сопротивление пен­ тода приводит к тому, что анодно-сеточные ха­ рактеристики в своей рабочей части почти неза­ висимы от анодного н а п р я ж е н и я . Таким обра­ зом, анодно-сеточные характеристики в основвом справедливы д л я всех значений сопротив­ ления нагрузки, если работа происходит в об­ ласти пологого участка анодных характеристик. ; 2-66. Параметры пентода. Кроме пара­ метров, которые имеют тетрод и триод, для пен!года добавляются параметры, связывающие Напряжение на защитной сетке с напряжениями и токами анода и экранирующей сетки. Однако пентод обычно работает с защитной сеткой соединенной с катодом либо непосредственно йибо через конденсатор, т а к что параметры Ёвязывающие изменения н а п р я ж е н и я на за )щитной сетке с напряжениями и токами дру ких электродов, исключаются. При этих усло­ виях эквивалентная схема пентода аналогична схеме тетрода, изображенной на рис. 2-36. В некоторых с л у ч а я х защитная сетка пен­ тода используется к а к вспомогательный у п р а в ­ ляющий электрод в дополнение к у п р а в л я ю 5840 U =fO0ô a 5000 ' 73 8000 7000 6000 g ι I 1000 5000 * - I w 4000% ΟδΖ ч 3000 §, s ι J r 2000 WOO - 02 JJc -4 -г о Напряжение сет ни первой, в 0 -ίο -δ -s 0 Рис. 2-44. А н о д н о - с е т о ч н а я х а р а к т е р и с т и к а и з а в и с и м о с т ь к р у т и з н ы о г н а п р я ж е н и я на у п р а в л я ю щ е й сетке д л я т и п и ч н о г о пентода. щей сетке. В этих с л у ч а я х э к р а н и р у ю щ а я сетка обычно соединяется с катодом через конденса­ тор, а защитная сетка работает при отрицатель­ ном н а п р я ж е н и и по отно­ шению к катоду, т а к что ее током можно пренебречь. Эквивалентная схема д л я этого случая п о к а з а н а на рис. 2-45, При таком н а п р я ж е н и и на защитной сетке, когда распределение потенциала между экранирующей сеткой и анодом соответствует рис. Рис. 2-45. Эквива­ 2-43, а, малые изменения лентная схема а н о д н о й цепи п е н ­ напряжения на защитной тода, когда экра­ сетке не дают изменения нирующая сетка анодного тока, т а к к а к все соединена через к о н д е н с а т о р с ка­ электроны, проходящие че­ тодом и защит­ рез э к р а н и р у ю щ у ю сетку, ная сетка р а б о т а е т и меют достаточную скорость, как вспомогатель­ ный у п р а в л я ю щ и й чтобы преодолеть отрица­ электрод. тельный градиент потенциа­ ла, существующий между эк­ ранирующей и защитной сетками. В этом случае крутизна характеристики анодного тока в за­ висимости от н а п р я ж е н и я на защитной сетке равна нулю. Однако, если уменьшить напря­ жение на защитной сетке т а к , чтобы средний потенциал в ее плоскости имел небольшое отри­ цательное значение, то на анод попадут только те электроны, которые имеют достаточную скорость, чтобы преодолеть отрицательный градиент потенциала в плоскости защитной сетки. Малые изменения н а п р я ж е н и я на защит­ ной сетке теперь у ж е вызывают большие изме­ нения анодного тока. Действие защитной сетки, анода и пространственного з а р я д а полностью соответствует действию управляющей сетки.