* Данный текст распознан в автоматическом режиме, поэтому может содержать ошибки
Кривые резонанса. Избирательность
контура
307
Эти схемы соответствуют контурам весьма низкого качества (Q = I). Приводим формулу полного сопротивления параллельного контура, имеющего активное сопротивление и в емкостной и в индуктивной вет вях. Такой контур приведен на фиг. 7, 3, /.
у_
~
ZZ Z+ Z
C L L
_ ( R - J X ) (R
2 c
C
2
- R , + R+
2
j
2
+jX ) (X -X )
L L C
PiR» U?i 4 - R.) 4 - RiX ,4(Ri+ Ъ)
2 2
2
R«Xl
2
+ ( X L - X C )
c
2
R\x
+ J
L
—
RX
— XLX
C
(XL
~ Xç)
2
(Ri +R2)
+(XL-Xc)
Здесь ω = 2π/,
где / в щ, L в гн, С в ф.
Хс==
^С>
КРИВЫЕ РЕЗОНАНСА. ИЗБИРАТЕЛЬНОСТЬ КОНТУРА В ЗАВИСИМОСТИ ОТ Q При настройке в резонанс напряжение на зажимах конденсатора или катушки контура (напряжения по величине одинаковы) получается в ~
R
раз больше, чем величина подаваемого к контуру напряжения. Эта величина ^ - (ω -=2π/, / — частота в гц, L — индуктивность катушки
R
5
в ZH R — активное сопротивление контура в ом) характеризует в основ ном поведение контура и называется д о б р о т н о с т ь ю Q катушки (конденсатор настройки вносит обычно очень мало потерь, и поэтому добротность катушки и определяет собой добротность всего контура) или множителем напряжения. Кривая резонанса данного контура с большой точностью может быть вычислена по формуле
1
U
^
I
^
1
Здесь отношения JJ—
V рез
U
î
и —— показывают, какая часть максимально
'рез
возможных (при резонансе) токов и напряжений получается при заданной расстройке. Δ — расстройка в процентах, определяемая как f f рез f рез
V
Q — добротность
20*
100
ι
катушки, равная