* Данный текст распознан в автоматическом режиме, поэтому может содержать ошибки

Продолжение 100° 18,5 400° 31,6 7U0 43,6 ICOO 54,8 1500° 72,0 2000° 87,0 Д л я тантала, содержащего 0,00% кислорода 0° 13,6 250 22,8 500° 32,0 750° 41,2 1000° 50,4 Температура перехода в сверхпроводящее 4,38 состояние, °К Температурный коэффициент электросопротивления. град 0—100° 3.17-10» 0-1000° 3,0-10-» Работа выхода электронов, эв Д л я кристалла ( 2 1 1 ) 4,352^0,01 4,12 Д л я неупорядоченных кристаллов Электронная эмиссия, лю/см* l-10-в 1000° 4,7-Ю-э 1230° 19,5 1730° Константа электронной эмиссии, а / с л ( ° К ) Д л я кристалла ( 2 1 1 ) 120 Для неупорядоченных кристаллов СО Вторичная эмиссия, 6 . = 1,35 (первичная энергия при 6 600 в) Положительная эмиссия, эв 10,0 Спектральное лучеиспускание X, мк 7*. °С 9,0 25 0.06 5.0 25 0.07 3,0 25 0,08 0,22 1,0 25 0,6 25 0,55 0,5 25 0,62 0,459 0,60 900 0,66 1100 0,442 0,416 0,66 1800 0,392 0,66 2500 0,361 0,65 2127 0,65 2327 0.358 0,65 2527 0,356 0,353 0.G5 2727 0,350 0,65 2996 0,505 0,467 1100 0,400 0.467 1800 Магнитная восприимчивость, э. м. е. 0,849-10-е 25 0,685-10-е I870 U 3 е -1 в Е м а ж ы а к с а J табл. 5 123] 123] 123] L23] |47] Н7] [31] |85] 123] [20] [83] [85] [20] [83] [76] [85] [58, 851 [58. 85] [58, 85] [58, Н5| |58, 85|-' |58, 85] ]58, 85] |58, 85] [58, В5] [59, 85] [33] 133] |331 [33] 133| [58, 85] [58, 85] [56]