* Данный текст распознан в автоматическом режиме, поэтому может содержать ошибки

'342 65. 86. 67. 88. 89. Глава 15 S c h e e l e С. W., Handl. Svenska Akad., 33, 120 (1771). S c h e i d R., англ. пат. 18659, 1907. Scbrauf A . , Pogg. Ann., 127, 344 (1866). S c h i m p f f H - , Z. physik. Chem., 71, 257 (1910). S h о с к 1 e у W-, Electrons and Holes i n Semiconductors, D. Van Kostrand Co., Princeton, N . J., 1950. 90. S t e p h e n s W. E., Electronics, 19,(7), 112—119 (1946). 91. T e a 1 С К-. Some Recent Developments in Silicon and Germanium Materials and Devices, Presented at National Conference on Airborne Electronics, May 10, 1954. 92. T h e u г e г H . С , канад. пат. 452109, 1948; пат. США 2475810, 1949. 93. Т i 1 I у е г Е. D . , пат. США 1278521, 1918. 94. Т о г г е у Н. С , W h i t m е г С A . , Crystal Rectifiers. McGraw-Hill Book Co., New York, 1948, p. 301—330. 95. T u c k e r N . P., J- Iron Steel Inst., 15, 412—416 (1927). 96. V a 1 e n t i n e г S., W a 1 I о t J., Ann. Physik, H I , 46, 837 (1915). 97. V a n A r k e l A. E., Metallwirtschaft, 13. 405—408, 511—514 (1934). 98. V a n A r k e l A. E., Z. Krist., 67, 235—238 (1928). 99. V a n L а а г J . J., Proc. Acad. Sci. Amsterdam, 18, 1220 (1916). 100. V i g o r o u x E., Ann. chim. et phys., | 7 | , 12, 5—74, 153- 196 (1^97); C. R., 120. 94—96, 554—557 (1905); Bull- soc. chim., | 4 ] . I , 1G (1907). 101. W a l l e n b e r g H . v o n , Ber. Physik. Ges., 12, 105—120 (1910); Z. Elekiro* clicm-. 18, 658 (1912). 102. W a g s t a f f J. E. P., Phil. Mag., [6J, 47, 66 (1924). 103. W e a v e r V. M . , пат. США 1238604, 1917; 1241796, 1917; 1296575, 1919. 104. Western Electric Co., Inc., англ- пат. 590458, 1947. 105. W i g a n d A . , Ann. Phys.. 21. 95 (1907). 106. W i l k e - D o r f u r t E., Chem. Zentr.. 1909, I I , 1965. 107. W i n k l e r C , Ber.. 23, 2652 (1890); J. Prakl. Chem-, [1J, 91, 198 (1864). 108. W o h i e r F., Ann., 97. 266 (1856); 102. 382 (1857). 109. Y e a r ! e n H . J , J. Appl. Phys., 21, 214—221 (1950).