* Данный текст распознан в автоматическом режиме, поэтому может содержать ошибки
Германий 213 ний остается самым важным иэ них и находит в этой области наибольшее применение *. Благодаря полупроводниковым свойствам германий впервые стали применять в кристаллических диодах еще во время второй мировой войны [791. В 1948 г. была установлена возможность применения германия в три одах, или транзисторах [7]. С тех пор продолжающиеся исследования и усо вершенствования открыли для германиевых полупроводниковых приборов совершенно новые области применения. Первый германиевый диод представ лял собой изготовленную определенным способом тонкую пластинку гер мания, в которую была впрессована тонкая проволочка из соответствующе го металла (аналогично старинному галенитово-проволочному детектору). Проволока и германиевая пластинка были припаяны к отдельным элек тродам, а все это устройство заключено в пластмассовый корпус или в сте клянную оболочку. Размеры такого прибора были меньше зерна [61]. Успехи в развитии технологии привели к еще большей миниатюризации первоначально изготовленных диодов. В настоящее время диаметр герма ниевых диодов, предназначенных для специальных целей, значительно меньше диаметра проволоки канцелярских скрепок, а их длина не превы шает 5 мм. Германиевые диоды применяются не только как выпрямители; они могут выполнять также функции соответствующих электронных ламп. Герма ниевые диоды потребляют незначительную мощность, обладают малым теп ловыделением, безынерционны (поскольку у них нет нити накала) и очень прочны. Промышленность выпускает германиевые диоды различных типов. Интересным свойством германиевых диодов является наличие у них фото электрического эффекта [79], позволяющего использовать их в качестве фотодиодов. Первые германиевые транзисторы имели почти такие же размеры, что и германиевые диоды, и отличались от них только наличием на германиевой пластинке двух проволочных контактов вместо одного. Это были так назы ваемые точечные транзисторы. Позднее был разработан прибор другого типа. Этот прибор был изготовлен из тонкой пластинки монокристалличе ского германия, обработанной таким образом, что ее поверхности обладали свойствами, отличающимися от свойств ее внутренней части. Это были так называемые плоскостные транзисторы. Германиевые транзисторы обоих типов при их применении имеют свои преимущества и недостатки. Уже пер вые иэ таких транзисторов имели очень небольшие размеры (около 0,3 см ). Так же как и в случае диодов, усовершенствование технологии их изго товления привело к уменьшению размеров и значительному улучшению их эксплуатационных характеристик. Силовые транзисторы обычно имеют гораздо большие размеры. Первые германиевые транзисторы применялись в качестве усилителей и осцилляторов. Новые открытия привели к столь значительному расшире нию областей их применения, что в одном только 19Г)9 г. было выпущено 125 млн. штук полупроводниковых приборов [16]. В течение последних 4—5 лет были разработаны способы изготовления полупроводниковых приборов в массовом масштабе, благодаря чему эти приборы иашли широкое применение в различных областях техники. Применение полупроводни ковых приборов позволило усовершенствовать радиоаппаратуру, уси лители для глухих, оборудование для проволочной связи и уменьшить 3 * См. И. П. Л о м а ш о в . Германий и кремний — важнейшие полупроводни ковые материалы, Металлургиздат, I960.— Прим. ред.