* Данный текст распознан в автоматическом режиме, поэтому может содержать ошибки

Электровакуумные приборы Проходя через э л е к т р о н н у ю л а м п у (любого т и п а ) , э л е к т р о н ы , у в л е к а е ­ мые полем анода, попадают на него с большой скоростью, о т д а в а я накоп­ л е н н у ю ими п р и движении энергию. Эта энергия п р е о б р а з у е т с я в тепло­ вую, из-за чего анод (а иногда и э к р а н н а я сетка) нагреваете л . Количество энергии, отдаваемое электронами в единицу времени, зависит от количества э л е к т р о н о в , попадающих на анод за то ж е в р е м я , т. е. зависит от с и л ы п р о х о д я щ е г о т о к а . С д р у г о й стороны, известно, чтоз а п а с е н н а я электронами э н е р г и я п р о п о р ц и о н а л ь н а н а п р я ж е н и ю . Следо­ вательно, поглощаемая анодом мощность (или э н е р г и я , р а з в и в а е м а я в единицу времени) равна произведению величины проходящего через л а м п у тока на величину н а п р я ж е н и я между анодом и катодом, что вы­ р а ж а е т с я формулой: P = VI a ai где Р — мощность ( ш ) ; U — н а п р я ж е н и е (в); 1 —анодный ток (а). При установившемся режиме поглощаемая мощность р а с с е и в а е т с я анодом в о к р у ж а ю щ у ю с р е д у . При заданной мощности, рассеиваемой на аноде, температура его опре­ деляется излучающей способностью. Ч е м больше п л о щ а д ь анода и излу­ ч а ю щ а я способность его поверхности, тем ниже его температура при за­ данной мощности. Д л я п о в ы ш е н и я излучающей способности апод особым образом чернят, а д л я у в е л и ч е н и я площади поверхность его делают ш е р о ­ ховатой. Д л я того чтобы л а м п ы не выходили и з с т р о я , по причине избыточной мощности рассеяния на аноде (экранной сетке), необходимо с л е д и т ь за н а п р я ж е н и е м п и т а н и я у с и л и т е л я и не д о п у с к а т ь превышения н а п р я ж е ­ н и я более чем на 10%. Д л я кенотронов имеет большое значение еще один номинал — м а к с и ­ мально д о п у с т и м а я амплитуда обратного анодного н а п р я ж е н и я , кото­ рый рассмотрен ниже п р и описании кенотронов. В х о д н а я емкость э л е к т р о н н о й л а м п ы — одна и з емкостей, с у щ е с т в у ю ­ щ и х между э л е к т р о д а м и лампы. П р о х о д н а я емкость C (емкость анод — у п р а в л я ю щ а я с е т к а ) , выходная емкость С ( д л я триодов емкость между анодом и катодом) и емкость С ( д л я многоэлектроняых л а м п емкость между анодом и всеми остальными электродами, и с к л ю ч а я у п р а в ­ л я ю щ у ю сетку) в у с и л и т е л я х низкой частоты роли не и г р а ю т . В х о д н а я емкость л а м п ы , с у щ е с т в у ю щ а я между у п р а в л я ю щ е й сеткой и катодом [C ) д л я триодов составляет 2—4 мкмкф; емкость между у п р а в ­ ляющей сеткой и всеми остальными электродами (кроме анода) д л я многоэлектродных л а м п составляет величину порядка 7 мкмкф. Входная емкость э л е к т р о н н ы х ламп определяется: а) д л я триодов — аначением емкости м е ж д у у п р а в л я ю щ е й сеткой п катодом {Cg ~ 2—4 мкмкф); б) д л я многоэлектронных л а м п — емкостью м е ж д у упранлягащей сеткой и остальными э л е к т р о д а м и , кроме анода (емкость имеет аначенио 6—8 мкмкф). При проектировании входной пепи у с и л и т е л я у ч и т ы в а е т с я емкость сеточвой цепи л а м п ы , которая о п р е д е л я е т с я с л е д у ю щ и м выра­ жением: С, = С + С {1+К), a а 1 ag ак вЬ1х gK K х гк ае где К — коэфициент у с и л е н и я к а с к а д а . Д л я пентодов п р о х о д н а я емкость c составляет —0,005 мкмкф и, следовательно, C = Cg . Д л я т р и о д о в , у которых C составляет 2—4 мкмкф и ffJslO, C g (1 -¥Щ существенно б о л ь ш е Cg и, следова­ тельно, емкость сеточной цепи значительно больше, чем у пентода, несмотря на меньшее значение емкости C . В у с и л и т е л я х авукового кино в первом к а с к а д е , к а к п р а в и л о , приме­ няется пентод, благодаря малой входной емкости сеточной цепи. a g ex K a ag K gH