* Данный текст распознан в автоматическом режиме, поэтому может содержать ошибки

78 Глава VI. Полупроводниковые диоды I IOQKQM "" 1 j " ! Inati — si i \ • -50-40-30-20'10 0 OA 0.8 12 0.10,15 0,5 15 10 25 50 Ю100150 1 a Ц0 Рис. 89. Характеристики диода Д12: а — зависимость сопротивления от приложенного напряжения; б—частотная. * — 300 200 • 11 / юо 9-2 -40 ~3L 0-U. 1 77 0 0.5 1,0 0.8 inn . , / / 200 300 MHO Рис. 90. Вольт-амперные характеристики диода Д12А при температурах: а — 20°С; б — различных. юо Mon'R ком U.0 • • • 80 60 40 20 — Q5 1 Ю лЛ 1 •OfJ • ч -06 \ Л Г) л OS2 1 \ •40-30-20-10 О Q4 Q8 U.6 0,10,15 25 5Q 70100/,№ а Рис 91. Характеристики диода Д12А: а — зависимость сопротивления от приложенного напряжения; б — частотная.