* Данный текст распознан в автоматическом режиме, поэтому может содержать ошибки
66
Глава
VI. Полупроводниковые
диоды
mm
а.f
1
ъ
180
60 40 ' ЮО ком Юном
1,4/400 {2(200
(О/т
Q8 800 0.6 600
\ 100 ном
Of 10 100
г f
0,4400
ПО 9пП J,t IUU
Рис. 67. Характеристики диода Д 2 В : Q4 Q8 U,b
a — зависимость сопротивления от приложен ного напряжении; б—частотная.
-40-20 О
a
0
О Q4 0,8 Цб 0.2 0,4-
а
б
Рис. 68. Вольт-амперные характеристики диода Д2Г при тем пературах:
а — 20°С: б — различных.
IX
юо
Мои №1 1 9,6800
60
60
/
-60 -40-20
л
\
0,6 600 04400
v
i
40
го
\
/Омом ^•/00 ном
0
0
0,4 0,8 Цб
Рис. 69. Характеристики днода Д2Г:
а — зависимость сопротивления от приложенного напряжения; б — частотная.
