* Данный текст распознан в автоматическом режиме, поэтому может содержать ошибки

Глава 18. Приемники излучения того, р-и-переход р а с ш и р я ю т з а счет у в е л и ч е н н о г о обратного н а п р я ж е н и я , ч т о позволяет получить п о с т о я н н н у ю в р е м е н и 10—20 н с . В последние годы разработаны Ф Д с гетеропереходом на основе хальког е н и д о в с в и н ц а (PbS, PbSe и PbTe), Ф Д с г е т е р о п е р е х о д о м PbS—(7aAs,сконт а к т а м и и з золота н а PbS и и з Au—Sn н а GaAs. Они и м е ю т с п е к т р а л ь н у ю ч у в с т в и т е л ь н о с т ь 0,9—3,2 м к м п р и 7 7 К с о б н а р у ж и т е л ь н о й способностью 2-10 с м - Г ц / В т . В в ы с о к о ч а с т о т н ы х Ф Д н а о с н о в е PbS базой с л у ж и т PbS р - т и п а , д а л е е идет слой PbS n-типа, полученный и о н н ы м л е г и р о в а н и е м ( в н е д р е н и е м и о н о в Sb), и слой SiO с о т в е р с т и я м и д л я электролитического о с а ж д е н и я к о н т а к т о в и з A u н а слой PbS n-типа. При температуре 77 К и нулевом с м е щ е н и и т а к и е Ф Д с пло­ щ а д к о й 0,14 м м имеют сопротивление 5 х 10 О м , D = 6 10 см Гц /Вт и X = 3,4 м к м , п р и 195К — 5 х 10 О м , D = 1 , 1 1 0 см Гц /Вт и X = = 2,95 м к м . П р и внедрении и о н о в Sb в PbTe р - т и п а при 7 7 К и п л о щ а д к е 0,14 м м (нулевое с м е щ е н и е ) получают X = 4,4 м к м (при 5,1 м к м о б н а р у ж и т е ­ л ь н а я способность у м е н ь ш а е т с я вдвое) с D =1,4- 10 см Гц /Вт. Параметры т а к и х фотодиодов стабильны. 9 1 / 2 2 2 9 X m a x 1 1 11 1/2 m a x 4 X m a x 1/2 m a x 2 m a x X m a x 11 1/2 Поверхностно-барьерные высокочастотные ФД. У п о в е р х н о с т н о - б а р ь е р н ы х Ф Д ( П Б Ф Д ) р-и-переход р а с п о л а г а е т с я н а поверхности п о л у п р о в о д н и к а . П о ­ с т о я н н а я в р е м е н и у н и х достигает 1 н с . И х изготавливают н а о с н о в е эффекта Ш о т т к и ( о б р а з о в а н и е к о н т а к т н о г о барьера н а г р а н и ц е металл—полупровод¬ н и к ) или п р и с п е ц и а л ь н о й обработке, к о г д а п р о в о д и м о с т ь поверхностного слоя п о л у п р о в о д н и к а , в отличие от объемного с л о я , приобретает иной з н а к . На рис. 18.11, а п о к а з а н о с х е м а т и ч е с к о е устройство П Б Ф Д н а о с н о в е эффекта Ш о т т к и . П а д а ю щ и й п о т о к проходит с к в о з ь п р о с в е т л я ю щ е е п о к р ы т и е 1, оми¬ ч е с к и й к о н т а к т с п о в е р х н о с т н ы м и н в е р с и о н н ы м с л о е м 2, в ы п о л н е н н ы м и з т о н к о й (2—10 н м ) золотой п л е н к и , и п о г л о щ а е т с я в области р - и - п е р е х о д а . По¬ г л о щ е н и е п о т о к а и з л у ч е н и я в этой области приводит к слабой з а в и с и м о с т и фототока и п о с т о я н н о й в р е м е н и от н а п р я ж е н и я п и т а н и я , т а к к а к н е т необхо¬ д и м о с т и п е р е м е щ а т ь носители к р-и-переходу. П Б Ф Д и м е ю т более ш и р о к и й диапазон спектральной чувствительности. Сильно поглощаемое УФ-излучение проходит через т о н к у ю п л е н к у золота и п о г л о щ а е т с я в области р - и - п е р е х о д а , а) б) Л., МКМ в) Рис. 18.11. Схема ПБФД (а), его усредненные спектральные характеристики (б) и структура ФД p-i-n типа (в); 1 — просветляющее покрытие; 2 — тонкая полупрозрачная пленка из золота или палладия; 3 — область p-n-перехода; 4 — изолирующее кольцо; 5 — омический контакт; 6 — AuGaP; 7 — AuGaAsP; 8 — «Астра-1»; 9 — ФПЗ-3