* Данный текст распознан в автоматическом режиме, поэтому может содержать ошибки

Глава 18. Приемники излучения С п е к т р а л ь н а я ч у в с т в и т е л ь н о с т ь Ф Р з а в и с и т от м а т е р и а л а ч у в с т в и т е л ь н о г о слоя и о х л а ж д е н и я . Она и з м е н я е т с я от 0,3 д о 40 м к м ( р и с . 18.4). А б с о л ю т н а я с п е к т р а л ь н а я ч у в с т в и т е л ь н о с т ь н е о х л а ж д а е м ы х Ф Р при п о н и ж е н и и температу¬ р ы п о в ы ш а е т с я , т а к к а к у м е н ь ш а е т с я т е п л о в а я г е н е р а ц и я носителей т о к а . Све¬ т о в а я х а р а к т е р и с т и к а фототока Ф Р — 1 ф ( Ф ) и з а в и с и м о с т ь с о п р о т и в л е н и я от п о т о к а и з л у ч е н и я Р ( Ф ) , к а к п р а в и л о , н е л и н е й н ы . Х а р а к т е р и х и з м е н е н и я за¬ висит в сильной степени от п р и м е с е й . е Отн.ед Рис. 18.4. Относительные спектральные характеристики чувствительности не­ которых фоторезисторов: 1 — напыленный CdS (295K); 2 — Ф С К - М 1 (CdS при 295К); 3 — Ф С Д (CdSе при 295К); 4 — монокристалл р-типа из Ge: Au при 77К; 5 — Ф С А (PbSe при 295К); 6 — PbSe (295К); 7 — монокристалл и-типа из InAs при 295К; 8 — монокристалл из InSb при 295К; 9 — Ge:Hg (30K); 10 — Ge:Zn: Sb (53К); 11 — Ge.-Cd^^); 12 — Ge:Cu (4,2K); 13 — GeZn^^) В о л ь т - а м п е р н ы е х а р а к т е р и с т и к и Ф Р — I(V) при Ф = const л и н е й н ы в ш и ­ р о к и х пределах ( с м . р и с . 18.3, а ) . Н е л и н е й н о с т ь в о л ь т - а м п е р н о й х а р а к т е р и с т и ­ к и н а б л ю д а е т с я в Ф Р н а о с н о в е CdS и CdSe при н а г р е в е ч у в с т в и т е л ь н о г о слоя при больших облученностях. Ф о т о р е з и с т о р у п р и с у щ и т о к о в ы й , г е н е р а ц и о н н о - р е к о м б и н а ц и о н н ы й , теп¬ ловой и р а д и а ц и о н н ы й ш у м ы . Эксплуатационные п а р а м е т р ы и относительное изменение сопротивления Ф Р . К а ж д о м у т и п у фоторезистора соответствуют м а к с и м а л ь н о д о п у с т и м а я электрическая мощность рассеивания P и максимальное напряжение пита­ н и я V . Н а п р я ж е н и е п и т а н и я цепи Ф Р — н а г р у з к а д л я з а д а н н о г о в п а с п о р т е m a x m a x д V max н е о л ж н а п р е в ы ш а т ь : V < V max ( Р н / Р ф + К р о м е о б щ е п р и н я т ы х п а р а м е т р о в ч у в с т в и т е л ь н о с т ь фоторезисторов ино¬ гда х а р а к т е р и з у ю т о т н о с и т е л ь н ы м и з м е н е н и е м е г о с о п р о т и в л е н и я S , н е з а в и с я щ и м от с х е м ы в к л ю ч е н и я : S = АДфДЛфАФ) (18.2), г д е Р ф — с о п р о т и в л е н и е фоторезистора при п о т о к е Ф ; АРф — и з м е н е н и е с о п р о т и в л е н и я фоторезистора при п р и р а щ е н и и п о т о к а н а А Ф ; S — в 1 / В т . На рис. 18.3, в п р и в е д е н а к р и в а я и з м е н е н и я сопротивления Рф фоторезисто¬ ра от п о т о к а и з л у ч е н и я , которую м о ж н о а п п р о к с и м и р о в а т ь н а у ч а с т к е 1 , в ы р а R R R