* Данный текст распознан в автоматическом режиме, поэтому может содержать ошибки

Глава 7. Резистивные датчики ф у н к ц и и преобразования, значительный разброс х а р а к т е р и с т и к . Погрешность е д и н и ч н ы х полупро¬ в о д н и к о в ы х тензорезисторов составляет 0,5...1,0%. Второе н а п р а в л е н и е , о с н о в а н н о е н а достиже¬ н и я х физики твердого т е л а и п о л у п р о в о д н и к о в о й технологии [10, 11], п р е д у с м а т р и в а е т с о з д а н и е и н т е г р а л ь н ы х т е н з о м о д у л е й [1—3, 8, 9]. У т а к о г о рода тензопреобразователей ( р и с . 7.5) у п р у г и й э л е м е н т ( м е м б р а н а ) и з г о т о в л я е т с я и з кристалли¬ ческого полупроводника (обычно к р е м н и я ) , на к о т о р о м м е т о д о м диффузии формируют мосто¬ вую и н т е г р а л ь н у ю т е н з о ч у в с т в и т е л ь н у ю схему. Здесь тензорезистор и упругий элемент пред¬ ставляют единое целое. Следовательно, в отличие от н а к л е и в а е м ы х проволочных тензорезисторов, здесь отсутствует промежуточное вещество м е ж д у упругим элементом и тензорезистором — клей, ко¬ торый я в л я е т с я причиной дополнительных погреш¬ ностей у н а к л е и в а и м ы х тензорезисторов. Изоляция Рис. 7.5. Интегральный тенчувствительного элемента от тела упругого элемен¬ зомодуль мембранного типа та осуществляется з а счет p - и-перехода. Г а б а р и т н ы е р а з м е р ы т а к и х преобразователей составляют 2... 6 м м при т о л щ и н е с а м о г о тензорезистора 20...25 м к м . Д а т ч и к и н а о с н о в е м о с т о в ы х тензоструктур имеют сравни¬ тельно в ы с о к у ю точность. И х погрешность м о ж е т быть с в е д е н а д о 0,1...0,2%. Литература 1. Байцар Р.И., Варшава С.С. Полупроводниковые микросенсоры. — Львов: Вид. ЛьЦНТЕИ. — 2001. — 288 с. (На укр. я з . ) . 2. Ваганов В.И. Интегральные тензопреобразователи. — М.: Энергоатомиздат, 1983. — 136 с. 3. Курмашев Ш.Д., Сидорец Р.Г., Шенкевич А.Л. Датчики давления на основе поверх­ ностно-барьерных структур: Тезисы докладов Украинской научн. конф. по физике полупроводников. — Т. 1. Одесса, — 2002. — С. 122. 4. Осадчий Е.П., Тихонов В.И. и др. Проектирование датчиков для измерения механи¬ ческих величин / Под ред. Е.П. Осадчего. — М.: Машиностроение, 1979. — 480 с. 5. Полищук Е.С. Измерительные преобразователи. — Киев: Вища школа, 1981. — 296 с. 6. Полищук Е.С. и др. Средства и методы измерений неэлектрических величин: Учеб¬ ник. — Львов: Бескид Бит, 2008. — 618 с. (На укр. я з ) . 7. Ренский А.Б., Баранов Д.С., Макаров Р.А. Тензометрирование строительных конст¬ рукций и материалов. — М.: Строиздат, 1977. — 239 с. 8. Schaumburg H . Sensoren. Band 3. B.G. Teubner Stuttgart: 1992. 9. Schaumburg H . (Hrsg.) Sensoranwendungen. Band 8. B.G. Teubner Stuttgart: 1995. 10. Шарапов В.М. и др. Технологии приборостроения. — Черкассы: Брама. — 2009. — 320 с.