* Данный текст распознан в автоматическом режиме, поэтому может содержать ошибки

4S Рассеянные элементы находится в определенной связи с чистотой металла и условиями его кристаллизации. Удельное электрическое сопротивление герма­ ния изменяется т а к ж е в зависимости от различного положения исследуемых участков в слитке (рис. 6 ) . Рекомендуется подвергать сли­ ток германия с примесями терми­ ческой обработке в два приема: сначала предварительный подо­ прев до температуры 8 0 0 ° для германия с оловом и до 6 5 0 ° — для !ермакня с азотом (в вакуу­ ме или в нейтральной атмосфере), сопровождаемый быстрым охлаж­ дением. Затем продолжительнее нагре­ вание (около 20 час. при темпе­ ратуре 5 0 0 ° ) , за которым следует м едл е н и ое ох л а жд ен ие. После ИЗО 500 600 700 800 900 первой стадии обработки герма­ Температура nr?£- ^ссОабстни^ Cний является «дырочным» полу­ проводником и обладает очень Рис. 6. Влияние температуры посредственными выпрямляющими термообработки на удельное свойствами. электросопротивление герма­ Во нтоэой стадии термообра­ ния в зависимости от различ. ботки он преобразуется в элек­ кого положения исследуемых участков в слитке [35] (термо­ тронный полупроводник с хороши­ обработка Б течение 24 ч а с ) : ми выпрямляющими свойствами. Ге^чаниспые детекторы изго­ С — перед пбрабпткпЛ при 000°: тавливают следующим образом. X — после обработкл при Ü00° Слитки германия распиливают на пластины и одну из поверх­ ностей покрывают электролитическим слоем металла (медь, ро­ дий), другую поверхность пластины полируют электролитическим методом. Затем пластины разрезают па кусочки, каждый кристалл припаивают к металлическому держателю и собирают вместе с электродом из вольфрамовой проволоки. На рис. 7 представлены принципиальная схема германиевого детектора и патрон германиевого детектора с металлической обо­ лочкой. З а последние годы разработаны новые виды германиевых де­ текторов (с высоким обратным напряжением, со сварными кон­ тактами, кристаллические триоды, усилители и генераторы). Особый интерес представляет для техники кристаллический триод (транзистор), разработанный в 1948 г. В основном он состоит из кристалла германия с высоким обратным напряжением, двух точечных электродов и одного электрода с относительно большой п^иерхиопыо. На рис. 8 приводятся схемы двух типов кристаллической, германиевого триода. 9