* Данный текст распознан в автоматическом режиме, поэтому может содержать ошибки

М небольшой коробочки, заполненной угольным порошком, тонкой металлической пластины — мембраны, закрывав шей коробочку, и двух электродов, погружённых в поро шок. Под действием упругих звуковых колебаний воздуха мембрана прогибалась и давила на порошок, изменяя его плотность и, следовательно, электрическое сопротивле ние. Вследствие этого изменялась сила тока, протекающе го через порошок (и погружённые в него электроды), и в цепи микрофона возникали электрические колебания, амплитуда которых в точности повторяла амплитуду зву ковых колебаний. В результате многолетнего усовершен ствования угольного микрофона был создан современный вариант микрофона капсюльного типа, широко применя емый в современных телефонных аппаратах. Вслед за угольным микрофоном был изобретён конденсаторный (Э. Венте, 1917 г., США), электродинамический ленточно го типа (В. Шотки, 1924 г., Германия), электретный (Ё гути, нач. 1920 х гг., Я пония), пьезоэлектрический (С. Н. Ржев кин и А. И. Я ковлев, 1925 г., СССР), электродинамический катушечного типа (Э. Венте и А. Терос, 1931 г., США) и другие микрофоны. Наибольшее распространение полу чили электродинамический катушечный и конденсатор ный микрофоны. В электродинамическом микрофоне катушечного типа звуковые колебания воздействуют на катушку с проводом, помещённую в поле постоянного магнита. При колебани ях катушки в магнитном поле в ней наводится эдс, созда ющая во внешней цепи электрический ток, изменяющий ся с частотой звуковых колебаний. В электродинамичес ком микрофоне ленточного типа вместо катушки с проводом в магнитное поле помещается тонкая (ок. 2 мкм) алюминиевая ленточка. Под воздействием упругих звуко вых волн ленточка колеблется, и в ней наводится пере менный ток звуковой частоты. Конденсаторный микро фон представляет собой по существу конденсатор пере менной ёмкости, включённый в цепь постоянного тока. Одна из пластин конденсатора (подвижная) является мем браной. Под давлением звуковых волн эта пластина пере мещается относительно другой неподвижной пластины. В результате меняется расстояние между пластинами и, следовательно, ёмкость конденсатора, что приводит к по явлению в цепи конденсатора тока, изменяющегося в такт звуковых колебаний. Выбор того или иного микрофона определяется его назначением, диапазоном воспроизводимых частот, чув ствительностью к звуковым колебаниям. Напр., при запи си музыкальных произведений, передачах радио и теле вещания применяют микрофоны электродинамические с полосой частот 20—20 000 Гц при исчезающе малых иска жениях звука. кообразным движением (напр., в электронно механичес ких часах) или механизмов с непрерывным движением, в которых управляющее воздействие задаётся последова тельностью импульсов (напр., в приводах станков с про граммным управлением). В бытовых электроприборах применяют универсальные коллекторные микроэлектрод вигатели. МИКРОЭ ЛЕКТРО´ НИКА (интегральная электро ника), область электроники, связанная с созданием и при менением в радиоэлектронной аппаратуре узлов и блоков, выполненных на интег ральных сх емах и микроминиатюр ных вспомогательных изделиях (разъёмах, переключате лях и т. д.), часто с использованием различных приборов (опто , акусто , криоэлектронных, ионных, тепловых и др.). Микроэлектроника сформировалась в нач. 60 х гг. 20 в. Е ё возникновение в кон. 50 х гг. и последующее бур ное развитие было вызвано усложнением и расширени ем областей применения электроники, необходимостью уменьшения габаритных размеров и массы, снижения стоимости, повышения быстродействия и надёжности электронной аппаратуры и наращиванием объёмов её производства. Современная микроэлектроника базирует ся на использовании физических эффектов в полупровод никах. Основу микроэлектроники составляют интегральные схемы (преимущественно полупроводниковые), выполня ющие функции блоков и узлов электронной аппаратуры, в которых объединено большое число элементов и элект рических соединений, изготовляемых в едином техноло гическом процессе. Наиболее распространены монолит ные полупроводниковые интегральные схемы, которые в зависимости от числа входящих в их состав элементов ус ловно делятся на малые (МИС — до 102 элементов на крис талл), средние (СИС — до 103 элементов на кристалл), боль шие (Б ИС — до 104 элементов на кристалл), сверхбольшие (СБ ИС — до 106—107 и более элементов на кристалл). Раз вивается в направлении уменьшения размеров элементов, размещаемых на поверхности или в объёме кристалла отдельных интегральных схем (на 2003 г. для наиболее распространённых интегральных схем — кремниевых — эти размеры доведены до 0,18—0,1 мкм), повышения сте пени их интеграции (до 107 и более элементов на крис талл), увеличения максимальных размеров кристалла (до 80—100 мм2). Для изделий микроэлектроники характерны наиболее быстрые в мире техники темпы разработки и освоения их промышленного производства. Непрерыв ный прогресс обеспечивается постоянным совершенство ванием технологии, опирающейся на новейшие достиже ния в области физики твёрдого тела, химии, прикладной математики. Формирование микронных и субмикронных элементов интегральных схем осуществляется с помощью процесса микролитографии — точного переноса изобра жения интегральных схем в заданном масштабе с ориги нала (шаблона) на полупроводниковую пластину. Исполь зуются фотолитография в видимой и ультрафиолетовой областях спектра, рентгенолитография и электронно лу чевая литография. Эти методы дают возможность довес ти расстояние между соседними элементами до 0,10 мкм. Успехи микроэлектроники позволили создать на одном полупроводниковом кристалле целый микропроцессор. МИКРОЭ ЛЕКТРОМАШИ´ НА, электрическая ма шина, мощность которой не превышает нескольких сотен ватт, с частотой вращения до 300 тыс. об/мин. Применя ется в микроприводах устройств управления летательных аппаратов, в бытовых электроприборах, в кино , фото и радиоаппаратуре. В синхронизирующих системах исполь зуют сельсины; в гироскопах, радиолокационных установ ках, а также в системах следящего электропривода при меняют индукторные генераторы. Шаговые электродви гатели чаще всего служат для привода механизмов со скач 2г6