* Данный текст распознан в автоматическом режиме, поэтому может содержать ошибки

И ной психологии труда, исследовавшей проблемы непо средственного взаимодействия человека с машиной, ору диями труда, разнообразными устройствами. Позднее, с развитием автоматизации, появлением ЭВМ и созданием автоматизированных систем управления, основным пред метом исследования инженерной психологии стали систе мы «человек — машина» (под машиной понимается авто матизированная система переработки информации, в т. ч. и ЭВМ). Главное внимание уделяется работе операторов, диспетчеров, лётчиков, водителей автобусов, машинистов и других специалистов, от качества труда которых зави сит не только качество продукции, но зачастую и жизнь многих людей. Инженерная психология рекомендует наи более рациональное распределение функций между чело веком и автоматом в каком либо процессе; определяет оптимальное соотношение объёмов работы, выполняе мых человеком и машиной автоматом; разрабатывает ре комендации по обоснованию принимаемых решений; ана лизирует влияние человеческого фактора на результаты функционирования сложных человекомашинных систем. гибридных схем изготавливают отдельно, а затем закреп ляют на подложке с плёночными пассивными элемента ми. Наряду с гибридными существуют ИС, у которых все элементы выполнены на основе плёночной технологии, — т. н. п л ё н о ч н ы е ИС. Они содержат обычно только резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности, соеди нительные проводники; используются как делители напря жения, резистивно ёмкостные фильтры и др. В 1959 г. в США была разработана технология создания м о н о л и т н ы х, или п о л у п р о в о д н и к о в ы х, ИС, получившая название планарной. По этой технологии как отдельные полупроводниковые приборы, так и ИС в це лом изготавливаются путём формирования в тонком (5— 10 мкм) приповерхностном слое полупроводниковой мо нокристаллической пластины (чаще всего из S i) областей с различным типом проводимости (дырочной и электрон ной) или с разной концентрацией примесей, в совокуп ности образующих структуру полупроводникового прибо ра или ИС. Такие области создаются локальным введени ем в рабочий слой примесей через маску (трафарет), обыч но из оксида кремния (S iО2), формируемую при помощи фотолитографии. Х арактерной особенностью планарной технологии является многократное повторение процес сов оксидирования (создание изолирующего слоя S iО2), избирательного травления оксидного слоя (изготовление маски), легирования примесями незащищённых участков поверхности, нанесения токопроводящих металлических дорожек (металлизация). В результате в приповерхност ном слое пластины формируется нужное количество гра ничащих между собой областей любой конфигурации с различными типами проводимости, изолирующих слоёв и межсоединений, образующих активные и пассивные элементы ИС. Все эти элементы имеют выход на одну сто рону пластины, что позволяет через окна в S iО2 соединять их в соответствии с заданной схемой металлическими (обычно фl) проводниками, наносимыми методом осаж дения в вакууме. Таким образом на одной полупроводни ковой пластине (в виде диска диаметром 120—200 мм и толщиной в несколько сотен микрон) можно создать не сколько сотен и даже тысяч ИС, после чего пластину раз резают на отдельные кристаллы — чипы (от английского c hip — осколок), каждый из которых содержит одну ИС. Каждый чип заключают в герметичный металлокерами ческий, керамический, металлостеклянный или пластмас совый корпус; выпускают и бескорпусные ИС с гермети зирующим покрытием. Для установки ИС на их корпусах имеются электрические выводы (иногда до нескольких со тен) под пайку или сварку. Сложность ИС характеризуется её степенью интегра ции. Все ИС условно делят на малые (МИС — до 102 эле ментов на кристалл), средние (СИС — до 103), большие (БИС — до 104), сверхбольшие (СБИС — до 106) и ультра большие (УБИС — до 109 элементов на кристалл). Плот ность размещения элементов на поверхности кристалла ограничивается возможностью отвода тепла, выделяемо го при работе ИС; на 1 см2 полупроводниковой пластины можно разместить до 106 транзисторов. По выполняемым функциям ИС делятся на два основ ных класса: аналоговые и цифровые. А н а л о г о в ы е ИС бывают монолитными и гибридными. На их основе созда ют операционные усилители, усилители низких, проме ИНСТРУ МЕ´ НТЫ ДЛЯ НАРЕЗА´ НИЯ РЕЗЬ БЫ´ , основными инструментами для нарезания резьбы как вручную, так и на станках являются метчики и плаш ки. М е т ч и к служит для образования резьбы внутри предварительно просверлённого отверстия. Представля ет собой закалённый стержень с винтовой нарезкой и прорезанными вдоль него канавками, которые образуют режущие кромки. Для работы метчик закрепляют в в о р о т к е (при нарезке вручную) или в патроне сверлиль ного станка (при машинном способе нарезки). П л а ш к и применяют для нарезания наружной резьбы на болтах, винтах, шпильках и т. п. деталях. При работе плашку уста навливают в п л а ш к о д е р ж а т е л я х или к л у п п а х (ручная нарезка) либо в специальных оправках (для ста ночной нарезки). Изготовляют метчики и плашки из уг леродистой или быстрорежущей стали как для метричес кой, так и для дюймовой (трубной) резьбы. ИНТЕГРА´ ЛЬНАЯ СХ Е´ МА (ИС, интегральная мик росхема), микроэлектронное устройство, содержащее большое число объединённых конструктивно и электри чески связанных между собой транзисторов, полупровод никовых диодов, конденсаторов, резисторов и др., изго товленных в едином технологическом цикле. Идея созда ния ИС впервые была выдвинута английским учёным Д. Даммером в 1952 г. Первыми в сер. 1950 х гг. были со зданы г и б р и д н ы е с х е м ы. При их изготовлении использовался опыт создания на одной диэлектрической подложке нескольких соединённых между собой конден саторов. Обкладки конденсаторов и соединительные про вода наносились на подложку напылением через трафа рет (маску) или методом трафаретной печати. Таким же способом стали создавать резисторы. В результате была освоена технология получения резистивно ёмкостных схем (R : схем). Первые г и б р и д н ы е ИС появились, когда на подложку с R : схемой установили навесные тран зисторы, полупроводниковые диоды, конденсаторы и ка тушки индуктивности. В 1960 х гг. были предприняты по пытки создать плёночные транзисторы и диоды, но они оказались неудачными. И поныне активные элементы для 1н5