* Данный текст распознан в автоматическом режиме, поэтому может содержать ошибки

Э никовыми приборами и применяются лишь в отдельных отраслях техники — напр., используются в схемах высококачественных усилителей звука. Ток эмиссия), при воздействии пучков электронов или ионов (ион-электронная эмиссия), под действием сильного электрического поля (автоэлектронная эмиссия). В очень сильных электрических полях автоэлектронная эмиссия приводит к взрыву микроострий на поверхности эмиттера и образованию плотной плазмы. Это приводит к возникновению сильного тока (взрывная электронная эмиссия). Анод ЭЛЕКТРО´ННО-ДЫ´РОЧНЫЙ ПЕРЕХО´Д Катод Нить накала Двухэлектродная электронная лампа — диод Анод Сетка Катод Нить накала Трёхэлектродная электронная лампа — триод ЭЛЕКТРО´ННАЯ ОРБИТА´ЛЬ, то же, что атомная орбиталь. (р—п-переход), область полупроводника, в которой происходит пространственное изменение типа проводимости (от электронной n к дырочной p). Для создания р—п-перехода в кристалле с электронной проводимостью нужно создать область с дырочной проводимостью (или же в кристалле с дырочной проводимостью — область с электронной проводимостью). Через границу, разделяющую области кристалла с различными типами проводимости, происходит диффузия электронов и дырок. Поскольку в п-области р—п-перехода концентрация электронов гораздо выше, чем в р-области, электроны из п-области начнут диффундировать в р-область (рис., а). Это приведёт к появлению в п-области нескомпенсированных положительных ионов донорной примеси, а в р-области рекомбинация электронов и дырок приводит к появлению нескомпенсированных зарядов отрицательных ионов акцепторной примеси. Поскольку акцепторные и донорные атомы неподвижны, в области электронно-дырочного перехода образуется два слоя пространственного заряда — отрицательный слой в р-области и положительный слой в n-области (рис., б). Между этими слоями возникает электрическое поле, которое направлено так, что оно противодействует диффузии свободных носителей тока через электронно-дырочный переход. Пограничная область раздела полупроводников p n ЭЛЕКТРО´ННАЯ ПЛО´ТНОСТЬ, см. Атомная орбиталь. ЭЛЕКТРО´ННАЯ ПРОВОДИ´МОСТЬ, см. Электроны проводимости. ЭЛЕКТРО´ННАЯ СПЕКТРОСКОПИ´Я, совокупность методов изучения свойств вещества путём анализа характеристик электронов, выбиваемых из этого вещества рентгеновским излучением, пучком ионов или каким-либо др. способом. Распределение энергий испускаемых электронов, углы испускания а также направления спинов электронов определяются структурой вещества, его элементным строением, тепловыми колебаниями атомов и молекул и т. д. Изучая электронный спектр с помощью электронных спектрометров, учёные получают данные о строении и свойствах исследуемого вещества. ЭЛЕКТРО´ННАЯ ЭМИ´ССИЯ, испускание электронов поверхностью твёрдых и жидких тел. Возникает в тех случаях, когда часть электронов твёрдого тела приобретает в результате внешних воздействий энергию, достаточную для преодоления работы выхода. Электронная эмиссия происходит при нагревании (термоэлектронная эмиссия), при воздействии излучения (фотоэлектронная а p E n б Образование р—n-перехода: — положительные ионы; — отрицательные ионы; — дырки; — электроны 647