* Данный текст распознан в автоматическом режиме, поэтому может содержать ошибки

Г тва платины. Открыл сахарную кислоту. Разрабатывал хим. номенклатуру; ввёл названия «калий» и «натрий». ГЕ´ССА ЗАКО´Н, закон, утверждающий, что тепловой эффект химической реакции, протекающей при постоянном давлении и температуре, зависит только от вида и состояния исходных веществ и продуктов реакции, но не зависит от пути реакции. Напр., если вещество B можно получить непосредственно из вещества А или же сначала из вещества А получить вещество C, а затем из C — B (см. рис.), то по закону Гесса Q 1 = Q 2 + Q 3, где Q 1, Q 2, Q 3 — количества теплоты, выделившиеся (или поглотившиеся) в каждой из этих трёх реакций: n + GaAs — верхний слой n + AlGaAs — эмиттер nAlGaAs — база pGaAs — коллектор полуизолирующий слой GaAs — субстрата Структура гетероперехода биполярного транзистора Закон Гесса позволяет рассчитывать тепловые эффекты хим. реакций, которые по тем или иным причинам невозможно определить экспериментально. Напр., можно определить тепловые эффекты хим. реакций СО + 0,5О2 = = СО2 + Q 1 и С + О2 = СО2 + Q 2, сжигая углерод или угарный газ в калориметрической бомбе. Но Q 3 реакции С + + 0,5О2 = СО + Q 3 определить экспериментально нельзя, т. к. в результате всегда получается смесь оксидов углерода (СО и СО2). Её можно определить только из закона Гесса: Q 3 = Q 2 — Q 1. Из закона Гесса следует: 1) теплота (энтальпия) хим. реакции равна разности между суммой теплот (энтальпий) образования продуктов реакции и суммой теплот (энтальпий) образования исходных веществ. ∆rH = Σ∆fH (продуктов) — Σ∆fH (исходных веществ). Напр., энтальпия ∆H реакции: 2А + В + 3С = D + 4Е равна ∆H(D) + + 4∆H(E) — 2∆H(A) — ∆H(B) — 3∆H(C); 2) ∆H (прямой реакции) = —∆H (обратной реакции). ГЕТЕРОГЕ´ННАЯ СИСТЕ´МА (от греч. heteros — другой), макроскопически неоднородная физ.-хим. система, состоящая из двух или более различных по физ. и хим. свойствам частей — фаз. Гетерогенной системой является, напр., жидкость и её насыщенный пар, а также смесь двух или более нерастворимых одна в другой жидкостей, растворы при неполной растворимости, а также коллоидные растворы и многие сплавы. полупроводниками. В области гетероперехода происходит изменение свойств полупроводниковых материалов: структуры энергетических зон, ширины запрещённой зоны, подвижности носителей заряда, их эффективных масс и т. д. Комбинации различных гетеропереходов и монопереходов образуют гетероструктуры. Гетеропереход называется и з о т и п н ы м, если образующие его полупроводники обладают одинаковым (р или п) типом проводимости, и а н и з о т и п н ы м, если тип проводимости различен. Наибольшее практическое значение имеют близкие к идеальным гетеропереходы, образованные идеальными (бездефектными) кристаллическими полупроводниками, у которых совпадают типы кристаллических решёток, их периоды и коэффициенты теплового расширения. Пример идеального гетероперехода GaAs — твёрдый раствор AlxGa1 — x As. Особенности строения энергетических зон гетероперехода делают гетеропереход и создаваемые на его основе гетероструктуры мощным средством управления потоками носителей заряда. Транзисторы, тиристоры, лазеры и др. полупроводниковые приборы на их основе обладают лучшими характеристиками, чем созданные на основе п—р-переходов. Первые близкие к идеальным гетеропереходы (Ge-GaAs) получены Ж. И. Алфёровым и его сотрудниками (Нобелевская премия, 2000). ГЕТЕРОСТРУКТУ´РА, полупроводниковая структура, содержащая несколько гетеропереходов. Энергетический спектр полупроводников состоит из разрешённых и запрещённых энергетических зон, которые представляют собой совокупности дискретных уровней энергии атомов кристалла. Самая высокая разрешённая энергетическая зона (зона проводимости) отделена от ниже расположенной разрешённой (валентной зоны) запрещённой зоной энергии (см. Зонная теория). Ширина запрещённой зоны может быть большой (широкозонные полупроводники) и малой (узкозонные полупроводники). Рассмотрим контакт двух полупроводников (гетеропереход), имеющих запрещённые зоны различной ширины — узкозонный и широкозонный полупроводники. Для электронов, движущихся в узкозонном полупроводнике ГЕТЕРОГЕ´ННЫЕ РЕА´КЦИИ, см. Химические реакции. ГЕТЕРОЛА´ЗЕР, полупроводниковый лазер на основе гетероструктур. ГЕТЕРОПЕРЕХО´Д, контакт между двумя различными по хим. составу полупроводниками. Это отличает их от обычных электронно-дырочных переходов (монопереходов), которые происходят внутри однородных полупроводников. Гетеропереход может быть образован между двумя монокристаллическими или двумя аморфными полупроводниками, между кристаллическим и аморфным 147