* Данный текст распознан в автоматическом режиме, поэтому может содержать ошибки

168 Энциклопедия электронных схем При использовании эмиттерного повторителя, связанного со стоком полевого транзистора, увеличивается управляющий ток затвора и уменьшается время пере ключения транзистора. Коэффициент увеличения (или уменьшения) равен парамет ру ? высоковольтного транзистора. В результате время спада напряжения перехода исток–сток для полевого транзистора определяется размером его полупроводнико вой структуры и электрическим зарядом затвора. Для схемы (рис. 52.1) это время равно 200 мкс (в случае МОП транзистора типа МТР10N25 с максимально до пустимыми током 10 А и напряжением 250 В). При подобных временах спада, по зволяющих значительно сократить потери при переключении, допустима широтно импульсная модуляция на частотах 100 Гц и менее. При включении устройства напряжение UDS быстро снижается до уровня, равно го сумме напряжения 0,7 В (перепад напряжения на диоде 1N914), напряжения насы щения перехода коллектор–эмиттер транзистора Q1 и напряжения перехода затвор– исток, необходимого для поддержания требуемого уровня тока в нагрузке. Диодная матрица завершает процедуру переключения полевого транзистора без помощи бу ферной схемы. Процесс спада напряжения UDS заметно замедляется при достижении уровня 5–7 В. В высоковольтных низкочастотных системах допускается определен ное остаточное напряжение UDS, поскольку оно обычно составляет лишь малую часть от напряжения переключения. Диод 1N914 позволяет напряжению UGS превысить на пряжение UDS при завершении процесса переключения полевого транзистора. ПРОСТОЙ СЧЕТЧИК СОБЫТИЙ Popular Electronics Рис. 52.2 Примечание. * Резисторы R2 – R8 сопротивлением 470 Ом.