* Данный текст распознан в автоматическом режиме, поэтому может содержать ошибки

80 Энциклопедия электронных схем Схема детектора лазерного излучения с частотно импульсной модуляцией (рис. 46.6) использует микросхему 565 (схема фазовой подстройки частоты) или аналогичную. Увеличение полного коэффициента усиления схемы достигается повышением сопро тивления резистора R3 до 1 МОм. Хотя элемент R4 показан в виде резистора, его легко заменить прецизионным потенциометром сопротивлением 10 кОм, что позво лит регулировать центральную частоту приемника. При указанных номиналах элемен тов значение центральной частоты составляет 39,75 кГц. Расчет частоты свободной генерации в схеме ФАПЧ производится из соотношения f = 1 , 3,7 R4 C2 где сопротивление задается в килоомах, емкость – в микрофарадах, частота – в ки логерцах. Для обеспечения оптимальной характеристики в области высоких частот нуж но подстроить конденсатор С1. Данная схема в функциональном отношении анало гична схеме детектора инфракрасного лазерного излучения (см. рис. 46.5), но до полнительно предусматривает применение контура фазовой подстройки частоты. УСТРОЙСТВО УПРАВЛЕНИЯ ЛАЗЕРНЫМ ДИОДОМ НА ОУ McGraw Hill Рис. 46.7 Схема (рис. 46.7) обеспечивает автоматическую регулировку токовых сигналов управления с помощью операционного усилителя. Для выходного каскада рекомен дуется использовать транзисторы, указанные в табл. 46.3, или однотипные, в част ности мощный составной транзистор Дарлингтона (TIP 120). Таблица 46.3. Перечень элементов схемы рис. 46.7 Позиционное обозначение IC1 R1, R5 Название элемента и его технические параметры Микросхема RCA СА 313, операционный усилитель Потенциометр, 100 кОм