* Данный текст распознан в автоматическом режиме, поэтому может содержать ошибки

208 Энциклопедия электронных схем через отверстие маски и подвергается бомбардировке ионным пучком в течение за данного промежутка времени. Одновременно с процессом бомбардировки произво дится вакуумное нанесение того или иного металла (обычно никеля, платины и/или палладия) электронным пучком через отверстие маски, что позволяет получить вы сокочувствительную пленку. Процедура продолжается до тех пор, пока толщина пленки не достигнет величины, оговоренной в спецификации на датчик. Так, напри мер, при работе с никелем она должна равняться 0,25 мкм. На следующем технологическом этапе формируются выводы для тонкопленоч ной структуры. При этом соответствующий шаблон закрепляется непосредственно на поверхности с помощью полиамидной (или какой либо аналогичной) ленты. Выводы тонкопленочной структуры (обычно медные, золотые или алюминиевые) изготавливаются в процессе бомбардировки ионным пучком и вакуумного осаж дения с помощью электронного пучка, причем данный процесс во многом аналоги чен процессу получения самой металлической пленки. Так, например, толщина медных выводов для никелевой подложки должна составлять 1 мкм. ДВУХПОЛОСНЫЙ (а) МОДУЛЯТОР НА УМНОЖИТЕЛЕ (б) Linear Technology Рис. 55.4 Примечание. * Подстройка симметрии.