* Данный текст распознан в автоматическом режиме, поэтому может содержать ошибки

206 Энциклопедия электронных схем Модулятор (рис. 55.2) построен на микросхеме LM2889 и фильтре на поверхност ной акустической волне. Он широко используется в качестве модулятора телеви зионных сигналов. Таблица 55.1. Поставщики элементов схемы рис. 55.2 Элементы Фильтры на поверхностной акустической волне Фирмы изготовители Crystal Technology, Inc., 1035 E. Meadow Circle Palo Alto, CA 94303 Kyocera International, Inc., 8611 Balboa Ave. San Diego, CA 92123 MuRata Corp. Of America, 1148 Franklin Rd. S.E. Marietta, GA 30067 Saronix, 4010 Transport at San Antonio Rd. Palo Alto, CA 94303 Toko America, Inc., 5520 W. Touhy Ave. Skokie, Ill. 60077 Кварцевый кристалл Индуктивности ЦИФРОВОЙ ШИРОТНО ИМПУЛЬСНЫЙ МОДУЛЯТОР Модулятор (рис. 55.3) содержит малопотребляющие логические элементы, по строенные на основе ТТЛ структур Шоттки и обладающие хорошими показате лями быстродействия. Тактовая частота 5 МГц преобразуется в 1 МГц с помо щью десятичного счетчика 7490, включенного по схеме делителя частоты на 5. Частота 1 МГц посредством схемы синхронизации тактового сигнала передается на трехкаскадный делитель частоты, состоящий из трех последовательно установ ленных двоичных делителей частоты на микросхемах 74LS161. Схема синхрони зации строится на основе D триггера (микросхема 74LS74), инвертора (микро схема 7404) и логического элемента ИЛИ–НЕ (микросхема 7402). Двоичные делители программируются шиной STD и тремя микросхемами памяти (микро схема 7475, четыре элемента памяти), что обеспечивает коэффициенты деления частоты в диапазоне от 1 до 4096 (12 бит). Сигнал частотой 1 МГц, кроме того, делится на 1000 при помощи трех последо вательно установленных десятичных счетчиков на микросхемах 7490, каждый из которых производит деление частоты на 10. В результате вырабатывается сигнал частотой 1 кГц, который направляется на мультивибратор с одним устойчивым состоянием, обеспечивающий получение импульса длительностью 0,1 мкс. Эти импульсы служат для управления генератором ионного пучка, бомбарди рующим поверхность, на которой планируется сформировать слой материала. Од новременно с ионной бомбардировкой включается генератор электронного пучка, формирующий слой кремния посредством вакуумного оседания частиц опреде ленной толщины (обычно 1 мкм). Образовавшаяся кремниевая пленка выступает в качестве основы при выполнении последующих технологических операций. Далее на поверхность накладывается металлическая маска с отверстием, соответ ствующим конфигурации формируемой высокочувствительной пленки и находящим ся в месте расположения изготавливаемого датчика. Эта поверхность экспонируется