* Данный текст распознан в автоматическом режиме, поэтому может содержать ошибки
313 МОНОКРИСТАЛЛ Ы — МОНОМЕРЫ 314 нокристаллич. затравка, являющаяся единственным центром кристаллизации; после того как на затравке начинает кристаллизоваться расплав, ее постепенно поднимают вверх, при этом на нее наращивается мо нокристалл. Регулируя темп-ру расплава и скорость вытягивания, м о ж н о получать М. заданного диаметра. Д л я получения М. исключительно высокой чистоты, применяемых в полупроводниковой технике, исполь зуют бестигельные методы выращивания, наиболее распространенным из к-рых является метод «плаваю щ е й зоны»: на границе между закрепленными верти кально в специальных держателях монокристаллич. затравкой и поликристаллич. заготовкой создается расплавленная зона, удерживаемая силами поверх ностного натяжения; зона перемещается по длине за готовки, переводя ее в М. При выращивании М. из р-ров в качестве раствори телей могут быть использованы вода, органич. рас творители, расплавы неорганич. соединений, металлов и сплавов. Выращивание М. из р-ров можно осущест вить удалением части растворителя испарением при постоянной темп-ре либо охлаждением насыщенного р-ра. В обоих случаях при этом образуется пересы щенный р-р, из к-рого растворенное вещество выде ляется в виде кристаллов. Выращивание, как пра вило, производится с применением монокристаллич. затравок. Скорость выращивания М. из растворов меньше, чем из расплавов, т. к. она лимитируется ско ростью диффузии растворенного вещества через рас твор к зоне кристаллизации. Проводя достаточно мед ленную кристаллизацию в условиях хорошего пере мешивания, малого пересыщения р-ра и строгого температурного контроля, можно получить однород ные М., имеющие форму правильных многогранни ков. Выращиванием из растворов получают М. квар ца, сегнетовой соли, квасцов и д р . солей, а также М. полупроводниковых материалов. Широкое распространение в последние годы полу чило выращивание М. из парообразной фазы. Т. к. в парах молекулярная диффузия протекает значи тельно быстрее, чем в жидком р-ре, рост М. из паров происходит быстрее, чем из растворов, но медленнее, чем из расплава. Наиболее существенными парамет рами кристаллизации из паровой фазы являются: давление паров кристаллизуемого вещества в рабочей камере, темп-ра и состояние поверхности вещества (подложки), на к-ром растет М. При непосредственном выращивании М. из паров данного вещества источник паров помещают в область с высокой темп-рой, а кристаллизация происходит в области с более низкой темп-рой. Пары переносятся к зоне кристаллизации либо за счет создания определенного темп-рного гра диента в рабочей камере, либо потоком инертного га за. Если росту кристалла предшествует реакция в па рообразной фазе, то в рабочей камере, как правило, создается газовый поток. Кристаллизацией из паро образной фазы выращивают М. многих металлов и по лупроводников, особенно в виде тонких (десятки или сотни микрон) пленок. Этим путем получают также нитевидные М., или усы. Как правило, усы имеют диа метр несколько десятков микрон, длину несколько миллиметров и обладают очень высокой прочностью. Выращивание М. в твердой фазе нашло ограничен ное распространение: собирательная рекристаллиза ция (рост М. из поликристаллич. заготовки при ее длительном нагреве до высоких темп-р) и рекристал лизация обработки (рост М. при длительном отжиге предварительно деформированного поликристалла). Н а р я д у с М., полученными искусственным путем, существуют природные М., образовавшиеся в земной коре при процессах породообразования. Широкое распространение в природе находят М. кварца, ис ландского шпата, каменной соли, флюорита, алмаза и ряда д р у г и х элементов и соединений. Природные М. часто достигают гигантских размеров и весят несколь ко сот килограммов. М. применяют в различных областях н а у к и и тех ники: М. полупроводников (германия, кремния, а р сенида галлия и др.) служат для изготовления диодов, силовых выпрямителей, триодов, солнечных батарей, фотосопротивлений, термогенераторов и д р . ; из М. ру бина, фтористого кальция и нек-рых полупроводнико вых соединений изготавливают квантовые генераторы ( л а з е р ы и м а з е р ы ) . Широко используются М. в качестве линз, работающих в У Ф - и ИК-областях спектра (кварц, каменная соль, фтористый литий, кремний, германий и т. д . ) , а также в качестве поля ризаторов (исландский шпат). Пьезоэлектрич. М. кварца применяются для стабилизации радиочастот, генерации ультразвука, а сегнетовой соли д л я кон денсаторов, громкоговорителей, микрофонов. М. ал маза широко используют при обработке сверхтвер дых материалов, а рубина — в часовой пром-сти. Области применения М. с каждым годом все более расширяются. Лит.: Ш у б н и к о в А. В . , Образование кристаллов, М.—Л., 1947; К у з н е ц о в В. Д . , Крисгаллы и кристалли зация, М., 1953; Б а к л и Г., Рост кристаллов, пер. с англ., М., 1954; В а р м а А . , Рост кристаллов и дислокации, пер. с англ., М., 1958; Процессы роста и выращивание монокристал лов, со. статей, пер. с англ., под ред. Н. Н. Шефталя. М., 1963; Н а й Д ж . , Физические свойства кристаллов.. > пер. с англ., М., i960. М. Г. Мильвидожй. МОНОМЕРЫ — низкомолекулярные соединения, применяемые для синтеза полимеров. В качестве М. могут быть использованы соединения, молекулы к-рых вступают в химич. реакцию не менее, чем с двумя д р у гими молекулами (би- или полифункциональные со единения). Функциональность М. определяется числом функциональных групп, а также количеством п о д в и ж ных атомов водорода или кратных связей и зависит от характера реакции и ее условий. Из бифункциональ ных М. получают линейные полимеры; синтез полиме ров на основе полифункциональных М. приводит к образованию разветвленных или пространственных структур. М., у ч а с т в у ю щ и е в ц е п н о й полиме р и з а ц и и , содержат в молекуле кратные связи, способные при определенных условиях разрываться с образованием активных частиц (радикалов или ио нов). При полимеризации М., содержащих м е ж д у ато мами углерода одну двойную связь, получаются карбоцепные высокомолекулярные соединения, не с о д е р ж а щие двойных связей в основной цепи макромолекулы (к таким М. относятся этилен, монозамещенные произ водные этилена типа R H C = C H , пропилен, акрилонитрил, стирол, акриловая к-та и д р . ; нек-рые несим метричные дизамещенные этилена типа H C = C R R & , винилиденхлорид, винилиденцианид и д р . ) . Полимери зация М., имеющих сопряженные углерод-углеродные двойные связи (бутадиен-1,3 и его гомологи и произ водные — 2-метилбутадиен-1,3; 2-хлорбутадиен-1,3 и др.), ведет к образованию карбоцепных полимеров, у к-рых в основной цепи имеются двойные связи. При наличии в молекуле М. изолированных двойных свя зей при полимеризации получаются либо линейные полимеры с циклами в основной цепи, либо развет вленные или сетчатые полимеры. Полимеризоваться по механизму цепных реакций могут также М. с кратной связью между атомом углерода и каким-либо другим атомом — кислорода, азота и д р . (напр., формальде гид и формальоксим); в этом случае получают гетероцепные полимеры. Скорость цепной полимеризации и структура образующегося полимера зависят от строе ния и свойств исходного М. Решающее влияние на рост цепи оказывает количество, взаимное расположе ние и строение заместителей в М. Активность М. п р и полимеризации зависит от стерических напряжений, 2 2