* Данный текст распознан в автоматическом режиме, поэтому может содержать ошибки

311 МОНОКРИСТАЛЛЫ 312 ные М . , имеющие большой мол. вес, напр. карболан желтый ЗГС ( Ш ) , металлсодержащие, напр. кислот­ ный зеленый ЖМ ( I I ) , «активные» красители, обра­ з у ю щ и е при крашении ковалентные связи с волокном. К последним принадлежат, в частности, М., содержа­ щие группу — СОСН С1, реагирующие с аминогруп­ пами шерсти: 2 R - N H C 0 G H G 1 + H N - R & —> R - N H G O C H N H ~ R & кр аситель шерсть 2 2 2 К М. принадлежит большая часть протравных азокрасителей, н е я р к и х , но очень прочных и поэтому ши­ роко применяемых д л я крашения шерсти, напр. кис­ лотный хром синий 2К (I). Почти все пигменты и ла­ ковые азокрасители являются М.; и х широко исполь­ зуют в окраске пластич. масс, текстильных изделии, в лакокрасочной пром-сти и т. п. Д л я окраски ацетатного, полиамидного, полиэфир­ ного и д р у г и х химич. волокон применяют «дисперсные» красители, молекулы к-рых не должны быть больших размеров. Д л я окраски этих волокон в желтые, оран­ ж е в ы е и красные цвета главную роль играют М., обыч­ но производные азобензола, напр- алый для ацетат­ ного шелка ( I V ) . СН. SOgNi O N-Y 2 Y-N=NV IV Сс.Н, V ч 2 4 5 с н он N N H - C^ "C-C1 S0 Na 3 I CI M., за исключением производных 2-амино-5-нафтол7-сульфокислоты, не обладают практически субстан­ тивными свойствами; по этой причине в группе п р я ­ м ы х азокрасителей М. крайне редки. Д л я окраски целлюлозных волокон выпущены «активные» красители (см. выше), образующие в процессе краше­ н и я эфиры целлюлозы. Окраски очень ярки и прочны к мокрым обработкам и трению. Большая часть «ак­ тивных» красителей принадлежит к М., напр. актив­ ный оранжевый (V). Прочие свойства М. и литературу СМ. В ст. Азокрасители. М.А.Чекалин. МОНОКРИСТАЛЛЫ. Монокристалл — кристал­ лич. индивидуум, зарождающийся из единичного за­ родышевого центра; в монокристалле между любыми д в у м я точками всегда можно провести прямую ли­ нию, не пересекающую поверхность, где наблюдается р е з к о е изменение ориентировки. Характерными осо­ бенностями М., отличающими их от поликристаллич. твердых тел, являются: 1) способность самоограняться, т. е. принимать многогранную форму при свободном росте в п о д х о д я щ и х условиях; 2) симметрия строения, к-рая проявляется не только во внешней форме М. и его структуре, но и в физич. явлениях, протекающих в М. при их взаимодействии с внешней средой (см. Кристаллы); 3) однородность, т. е. наличие одинако­ вых свойств в параллельных направлениях (однород­ ность М., являющаяся основой их все более широкого применения, зависит от условий и х выращивания, чистоты и природы материала); 4) анизотропия^ т. е. изменение свойств в зависимости от направления; проявлением анизотропии является, напр., наличие в М. определенных плоскостей скалывания, вдоль к-рых они наиболее легко разрушаются под действием н а п р я ж е н и й . Анизотропия физич. свойств М. опре­ деляется их симметрией. Внешняя форма М. чистых веществ зависит от у с л о ­ вий выращивания М. Различают равновесную и не­ равновесную формы роста М. Равновесная форма ро­ ста соответствует такой огранке, к-рая обеспечивает минимум свободной поверхностной энергии. Равно­ весные формы могут быть получены при росте и растворенииМ. (любойформы), когда все стадии процесса близки к равновесию. Рост М. в неравновесных у с л о ­ виях может приводить к резкому изменению их внеш­ ней формы. Значительное влияние на свойства М. оказывают со­ держащиеся в них примеси и структурные дефекты. Неоднородное распределение примесей и с т р у к т у р ­ ных несовершенств в объеме М. приводит к неоднород­ ности и х физич. свойств. Особенно резкая зависимость свойств от чистоты наблюдается в М. полупроводни­ ков: д а ж е содержание 1 0 ~ — 1 0 ~ % примеси сильно изменяет электрич. свойства М. На резкой зависимости электрич. свойств М. полупроводников от природы и концентрации примесей основаны методы их легиро­ вания. Основными структурными несовершенствами в М. являются дислокации и точечные дефекты (см. Дислокации в кристаллах и Дефекты структуры). Структурные дефекты в значительной степени опреде­ ляют механич., электрич. и оптич. свойства М., осо­ бенно полупроводников, и влияют на диффузию при­ месей в н и х . Многие свойства М. определяются с л о ж ­ ным взаимодействием структурных дефектов с при­ месями. Получение М. Можно выращивать М. самых раз­ личных веществ. Большую часть М., широко исполь­ зуемых в науке и технике, получают искусственным путем. В зависимости от свойств вещества (характер химич. связи, темп-ра плавления, диссоциация при нагреве, растворимость, агрессивность и др.) приме­ няют различные методы изготовления М., а разрабо­ танная д л я каждого конкретного случая технология определяет размеры, форму и совершенство М. Почти все методы изготовления М. включают к.-л. фазовое превращение: твердая фаза — жидкость, твердая фа­ за — пар; твердая фаза — твердая фаза. К превра­ щениям типа твердая фаза — жидкость относятся ме­ тоды выращивания М. из расплавов и растворов. Выращивание М. из расплавов является основным методом получения М. полупроводников и металлов. Применяют 2 основных способа выращивания М. из расплава: направленную кристаллизацию и зонную плавку. В первом случае исходный материал сначала полностью расплавляется, а затем за счет направлен­ ного снижения темп-ры расплав постепенно затвер­ девает. В о втором случае расплавляется лишь часть исходного поликристаллич. материала — создается сравнительно у з к а я расплавленная зона, к-рая затем перемещается по всей длине образца. Различают ти­ гельные и бестигельные методы получения М. из рас­ плава. Чтобы сделать процесс более воспроизводи­ мым и получить М. заданной кристаллография, ори­ ентировки, кристаллизацию проводят с примене­ нием монокристаллич. затравки, к-рую размещают в зоне начала затвердевания. В качестве затравки обычно используют кусочек монокристалла кристал­ лизуемого вещества, вырезанный в определенном кристаллографич, направлении. Широкое распростра­ нение п р и получении М. нашел метод вытягивания: исходная поликристаллич. шихта расплавляется в тиг­ ле; затем в расплав, поддерживаемый при температу­ ре, близкой к точке затвердевания, погружается мо7 8