* Данный текст распознан в автоматическом режиме, поэтому может содержать ошибки

1169 ДИФОСФОПИРИДИННУКЛЕОТИДЫ — ДИФРАКЦИЯ PEHTTFHOBCKHX ЛУЧЕЙ Ц70 носимая концентрация 0,075 мг/л. Характерным при отравлении Д. является скрытый период действия (до 6—8 час); очень опасно длительное воздействие малых концентраций, суммарное действие к-рых мо­ жет привести к тяжелым поражениям (куммулятивный эффект). Д. применялся в годы первой мировой войны в качестве ОВ. Лит. см. при ст. Отравляю щие вещества. Р. Н. Стерлин. ДИФОСФОПИРИДИННУКЛЕОТИДЫ — см. Пири­ дин нукле отиды. ДИФРАКЦИЯ РЕНТГЕНОВСКИХ ЛУЧЕЙ — один из видов рассеяния рентгеновских лучей; пред­ ставляет собой результат сложения амплитуд вторич­ ных волн, рассеянных электронами вещества, без изменения частоты (когерентно). Дифрагированные лучи составляют часть всего рассеянного веществом рентгеновского излучения. Наряду с Д. р. л. при падении лучей на вещество происходит рассеяние лучей с незначительно увеличенной длиной волны (эффект Комптона), а также при надлежащих усло­ виях могут возникнуть характеристич. лучи со спек­ тром длин волн, свойственным данному атому. Явле­ ние дифракции доказывает волновую природу рент­ геновских лучей. Д. р. л. осуществляется на кристал­ лах. Мысль о возможности использования кристалла в качестве природной дифракционной решетки для рентгеновских лучей была впервые высказана М. Лауэ в 1912. В том же году был поставлен В. Фридрихом и др. соответствующий опыт, подтвердивший пра­ вильность высказанной идеи. Открытие Д. р. л. послужило основой для развития двух областей физики — рентгене-структурного ана­ лиза, т. е. изучения строения вещества при помощи рентгеновских лучей, и рентгеноспектрального ана­ лиза, т. е. изучения спектров рентгеновских лучей при помощи кристалла. Задачей теории Д. р. л. является подсчет интенсивности рентгеновского излу­ чения, дифрагированного веществом, в зависимости от угла рассеяния 20 (т. е. угла между первичным и вторичным лучами). При анизотропии объекта иссле­ дования интенсивность рассеяния зависит также от ориентировки объекта по отношению к лучу. В случае Д. р. л. одноатомным газом результат онмга зависит исключительно от распределения электронов в атоме. Расчетом было показано и опы­ том подтверждено, что интенсивность рассеяния мо­ нотонно убывает с углом 0. В направлении первич­ ного луча рассеяние максимально и пропорционально числу электронов в атоме — все электроны рассеи­ вают волны в одной и той же фазе. В случае Д. р. л. молекулярным газом результат опыта зависит от т. н. атомных факторов (см. Атом) и расстояний между атомами в молекулах. В этом случае распре­ деление интенсивности по углам уже не будет моно­ тонно убывать. На кривой интенсивности могут воз­ никнуть максимумы. Картина, заснятая на фотопла­ стинку, будет состоять из первичного пятна и не­ скольких концентрич. колец. Исследуя распределение интенсивности, можно определить строение молекул. Однако из-за необходимости больших экспозиций, достигающих сотен часов, Д. р. л. редко применяется для этой цели. Такого же типа дифракционные кар­ тины могут быть получены со значительно меньшими экспозициями при помощи дифракции электронов (см. Электронография). С большим трудом поддается расчету Д. р. л. жидкостями и твердыми аморфными телами. Из-за близости молекул друг к другу здесь уже нельзя считать независимым рассеяние разными молекулами. Наиболее интересной является Д. р. л. кристал­ лами. Одиночные кристаллы (монокристаллы) состоят обычно из слегка (от нескольких секунд до нескольких минут дшр) дезориентированных блоков. Все атомы внутри блока рассеивают когерентно. Таким образом, интенсивность рассеяния кристалла равна произве­ дению числа блоков на интенсивность рассеяния от­ дельным блоком, состоящим из большого числа эле­ ментарных ячеек кристалла. Суммирование амплитуд волн, рассеянных атомами кристаллич. блока, при­ водит к следующему результату, В отличие от аморф­ ных тел, кристалл рассеивает (дифрагирует) лучи лишь в строго определенных направлениях. Эти направления определяются законом, установленным в 1913 Ю. В. Вульфом и независимо от него У. Брэг­ гом. Закон Вульфа—Брэгга говорит, что Д. р . л. кристаллом можно рассматривать как селективное «от­ ражение» от систем узловых плоскостей кристаллич. решетки. Эти системы характеризуются кристаллографич. индексами h, k, I , имеющими следующий смысл. Если выбрать один из узлов пространственной ре­ шетки за нулевой и построить произвольную систему параллельных равностоящих плоскостей, то пло­ скость, ближайшая к нулевому узлу, будет отсекать на осях кристалла, выбранных за основные, доли длин ребер ajh, Ъ/к, с/1; здесь а, Ъ, с — длины ребер выбранной элементарной ячейки. Индексы h, к, I являются целыми числами, не содержащими общегомножителя. Если обозначить кратчайшее расстоя­ ние между соседними плоскостями семейства hkt через о! > то закон Вульфа — Брэгга можно записать так: ш 2>d i • sin6 = пк, где к — длина волны рентгеновско­ го луча, п — целое число, называемое порядком отра­ жения, и 9 — половина угла отклонения рассеянноголуча от первичного. Однако в данном случае 0 имеет и другой смысл: это угол, образованный падающим, а следовательно, и отраженным лучом с плос­ костью hkl (см. рис. 1). луч отраженный Если кристалл повора­ луч падающий чивать, то, подставляя по очереди в отража­ ющее положение те или иные системы плоско­ стей, мы можем полу­ чить все дифракцион­ ные лучи, свойственные данному кристаллу. Как видно из уравне­ Рис. 1, ния, одна и та же си­ стема плоскостей hkl может при разных углах дать несколько лучей (разные Ъ). Явления Д. р. л. кристаллом можно наблюдать и иным способом, а именно, используя сплошной спектр рентгеновских лучей, т. е. такой, к-рый содержит непрерывный набор длин волн. В этом случае неподвижный кри­ сталл создает одновременно множество дифрагиро­ ванных лучей, т. к. для многих систем плоскостей в спектре найдется подходящая длина волны к, удо­ влетворяющая закону Вульфа—Брэгга для тех углов б, к-рые обр азуют системы плоскостей неподвижн ого кристалла с падающим лучом. Согласно уравнению Вульфа—Брэгга, дифракционные &лучи возникают под строго определенными углами. Но это справедливо для бесконечного и идеального кристаллов. В реаль­ ном кристалле дифракция имеет место в небольшом интервале углов около точного значения 0. Расшире­ ние угла зависит также от наличия напряжений и неоднородностей в объекте и от темп-ры. Интенсивность дифрагированного луча зависит от ряда причин и, в первую очередь, от т. н. структурного фактора;последний определяется атомными факторами атомов кристалла, расположением атомов внутри элементарной ячейки кристалла, а также характером тепловых колебаний атомов. Естественно, структур­ ный фактор зависит от симметрии расположения hh