* Данный текст распознан в автоматическом режиме, поэтому может содержать ошибки

1145 ДИСЛОКАЦИИ — ДИСПЕРГИРОВАНИЕ 1146 может зарасти и с каждым своим оборотом дает но­ вый атомный слой. Ряды параллельных Д. могут об­ разовывать внутренние границы раздела в кри­ сталлах. Так, изображен­ ный на рис. 4 ряд крае­ вых Д., расположенных ? одна над другой, отве­ чает повороту решетки одной части кристалла отпосительно другой его части, т. е. образует гра­ ницу двух разориентированных блоков. Дру­ гие конфигурации Д. отвечают линиям сколь­ жения (рис. 5), границам двойников, зерен и фаз Рис. 3. Винтовая Д . в простой кристаллич. телах, кубич. решетке (линия АВ). На Перемещением Д. или торцевой поверхности металла их сеток (границ блов схематически показано расположение атомов при наличии винтовой д. п ЯРПРТТ и з е е н и И ПГШНТТР- Р ) ПОЯВлением новых дислока­ ционных границ могут быть описаны с точки зрения теории Д. также процессы ползучести, отдыха и рекристаллизации (кроме высоких темп-р, когда эти процессы сущест­ венно связаны с явлением самодиффузии), полигонизация и ряд фазовых превращений в твердых телах (напр., мартенситное превращение в сталях). На ос­ нове дислокационных моделей развития опасных де­ фектов формулируются условия разрушения кристаллич. тел, опи­ сывается переход от хрупкого разрушения к пластич. течению к о в Рис. 4. Вертикаль­ ный ряд краевых Д . (простая наклонная граница блоков). Рис. 5. Горизонтальный ряд краевых дислокаций, лежащих в общей плоскости скольжения (линия скольжения). (темп-рный порог хладноломкости), анализируются процессы усталости и явление понижения прочности в присутствии поверхностноактивных сред (эффект Ребиндер а). Основными методами изучения Д. в кристаллах служат: электронно-микроскопич. наблюдение рас­ положения атомных плоскостей в кристаллах; деко­ рирование Д. примесями с наблюдением в видимом или ИК-свете; металлографии, травление точек выхода Д. на поверхность кристалла; изучение фигур спи­ рального роста с применением фазовоконтрастной микроскопии, многолучевой интерферометрии и ион­ ного проектора; поляризационно-оптич. определение ^внутренних напряжений, рентгеновские исследова­ ния, а также измерения электропроводности, плот­ ности и комбинации этих методов. Л и т . : Р и д В. Т., Дислокации в кристаллах, пер. с англ., М., 1957; К о т т р е л л А. X . , Дислокации и пластическое течение в кристаллах, пер. с англ., М., 1958; Проблемы совре­ менной физики. Сб. переводов..., № 9 , М., 1957; И н д е нб о м В. Л. и М е т е л к и н И. И., Кристаллография, 1958, т. 3, вып. 1; Р и а А., Химия кристаллов с дефектами, пер. с англ., М., 1956; Л и х т м а н В. И., Физика в школе, 19G0, № 3. В, Я. Лихтман, Е. Д. Щукин. ДИСПЕРГИРОВАНИЕ — тонкое измельчение твер­ дых или жидких тел в окружающей среде, в ре­ зультате которого образуются порошки, Суспензии, эмульсии. Наряду с противоположным процессом — конденсацией или кристаллизацией — Д. служит одним из двух путей получения коллоидных и вообще дисперсных систем. Д. требует затраты работы тем большей, чем больше вновь образующаяся .поверх­ ность и поверхностная энергия на границе диспер­ гируемого тела с окружающей средой. Поэтому усло­ вия Д. определяются не только структурой и составом диспергируемого тела, но г# физико-химич. особенно­ стями окружающей среды. Д. жидкостей обычно наз. распылением, если оно происходит в газовой форме, и эмульгированием, когда оно проводится в другой (несмешивающейся с первой) жидкости. Д. твердых тел происходит в результате механич. деформирования с разрушением тела в предельно напряженном состоянии по наиболее слабым местам — дефектам структуры, развиваю­ щимся в нанряженном состоянии. Работа Д. твердых тел значительно выше энергии развивающейся поверх­ ности вследствие необходимости упругого или пла­ стич. деформирования частиц до разрушения, а для жидкостей — вследствяе затраты работы на преодоле­ ние вязкого сопротивления. Однако затрачиваемая на деформирование работа также приблизительно пропорциональна поверхностной энергии. По мере перехода ко все более мелким частицам их проч­ ность возрастает. Этим объясняется резкое снижение эффективности Д. для частиц диаметром 1—0,1 мк (практич. предел механич. Д.). Для дальнейшего Д. в таких частицах твердых тел должны возникнуть новые дефекты структуры, что возможно в результате ударного.действия на весьма больших скоростях или высокочастотного вибрационного воздействия. Кроме того, по достижении достаточно высокой степени раз­ дробления частицы начинают слипаться между собой, и дальнейшее их Д. прекращается. Небольшие добавки адсорбирующихси поверхностно-активных веществ облегчают Д. тел, т. к. они понижают поверхностное натяжение на вновь возникающих границах раздела фаз, а также образуют в ряде случаев структурирован­ ные адсорбционные слои с повышенной вязкостью и упругостью, препятствующие обратному слипанию мелких частиц. При Д. твердых тел поверхностно; активные добавки (понизители твердости) проникают в мельчайшие поверхностные трещинки в процессе их развития при механич. воздействии. Такие добавки (диспергаторы, эмульгаторы, смачиватели и др.) могут служить и стабилизаторами образующихся частиц, препятствуя их коагуляции и удерживая их в состоя­ нии тонкой суспензии или эмульсии. При понижении поверхностной энергии данного тела на границе с окружающей средой до очень низ­ ких значений порядка 0,1 эрг]см~ , при обычной темп-ре Д. становится самопроизвольным процессом и происходит без затраты внешней работы под влия­ нием теплового движения (броуновского движения отщепляющихся частиц) вследствие возрастания энтро­ пии системы при более равномерном распределении в ней диспергируемой фазы. Таковы случаи коллоид­ ного растворения, напр. бентонитовых глин в воде или мыл в соответствующих жидких средах. , На практике Д. проводят в специальных машинах для тонкого измельчения — мельницах различных конструкций (шаровые мельницы для получения частиц до 100—10 мк, вибрационные, виброкавитацирнные и струйные мельницы — до 10—1 мк и т. н. коллоидные мельницы — для получения еще более мелких частиц). Интенсивное Д. может быть произве­ дено также с помощью звуковых и ультразвуковых колебаний, Используют также местное нагревание до высоких темп-р с возникновением значительных градиентов тёмп-ры и, т. о., высоких термич. напря2