* Данный текст распознан в автоматическом режиме, поэтому может содержать ошибки

72 Концентрация напряжения около отверстий К в а д р а т н о е о т в е р с т и е . Равномерное внутреннее давле* 1 ие. Значения 7Л при v = 0,3 и е — — , т. е. в случае, когда диагональ У вадрата направлена на образующей цилиндрической оболочки, будут T* ^qh % ( 1 , 5 + 1,125 cos 26 + cos 40 + 0,37 cos 66 + + 0,335 cos 89 + 0,11 cos 100 + 0 > 3 2 5 - ^ [4,26 + + 6 cos 20 + 3,41 cos 46 + 1,93 cos 66 + + 0,89 cos 80 + 0,56 cos lOOj) В оболочке В пластинке a*b = 0,5 ВоЬолочке В пластинке Рис. 57 Рис. 58 При е = — , т. е. когда диагональ квадрата направлена под уг¬ У гом — к образующей, значения Т е будут Т] = qh ( 1,5 + 0,9 cos 26 — cos 40 — 0,295 cos 66 + + 0,335 cos 86 + 0,11 cos 106 + 0,325 [4,01 + + 4,44 cos 20 — 2,59 cos 46 — 1,41 cos 60 + + 0,89 cos 80 + 0,56 cos 106j). o 1 Значения k для пластинки и оболочки при — = 0,6, е = тг V табл. 9. и v = 0,3 при различных значениях 6 приведены в Rh Т 9 Кривые, характеризующие по контуру отверстия для е r у ие= « 1 г тг при - 2— = 0,5, показаны на рис. 59 и 60. 9 VRh г