* Данный текст распознан в автоматическом режиме, поэтому может содержать ошибки

Напряжения возле отверстий в тонких оболочках 367 Изменяя N и е, получим соответственно эллиптическое, квадратное и треугольное отверстия, последние с закругленными углами. Сферическая оболочка [33]. К р у г о в о е о т в е р с т и е [45]. Равномерное внутреннее давление. Задача о напряженном состоянии сферической оболочки, загруженной равномерным внутренним давле­ нием интенсивности р и ослабленной круговым отверстием, которое закрыто крышкой, передающей только действие перерезывающей силы, впервые рассмотрена в работе [45]. Значение 7 ^ по контуру Г отверстия можно представить в виде 1% = 2Ро [ + **-°> -17=-1> Г Л 1 93 0 < > 40 где R — радиус кривизны срединной поверхности оболочки; г — ра­ диус отверстия; h — толщина оболочки Коэффициент к* для некоторых значений (здесь v — коэффициент Пуассона) принимают: к ft* 1,35 0.9 1,2 0,85 1,1 1 0,45 0.75 0,70 0,40 0,2 0,1 0.15 0.08 н а и= & 1^(1— v ) 2 Т* Следовательно, коэффициент концентрации к — - ~ [ ~ контуре отверстия в рассматриваемой оболочке больше k для пластинки в 2,65 раза. Э л л и п т и ч е с к о е о т в е р с т и е [34 ]. Для эллиптического отверстия I о— Ь а~~ Ь AT Равномерное внутреннее давление [ 3 4 ] . Нулевое приближение пол­ ностью совпадает с решением для кругового отверстия. Значение уси­ лия Tg на контуре отверстия определяют с точностью до е по формуле 2 Для оболочки с параметрами R — 200 см, « 0,2 см, v = 0,3 Т* — © „ j Ц- - 5,30_+ _ ph а--Ь = 5 t 3 0 = 10 см, h = 0 19,44 cos 26 + ( ^ = ± ) * X a--b } (42) X (16,93 — 2,49 cos 26 + 10,96 cos 46). Значения к, подсчитанные по формуле (41) для пластинки и оболочки при 6 = 0 (на конце большой полуоси), приведены в табл. 7. Таблица дает представление о быстроте сходимости полученного решения для оболочки с эллиптическим отверстием.